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公开(公告)号：CN113354298B
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202110616541.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用，属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法，将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙，之后进行退火，使得PS球气化，形成SnO2大孔薄膜；之后进行水热反应，在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上，引进MoS2纳米片，通过调控，使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜，孔状结构有利于气体排出，纳米片的复合使得薄膜比表面积增大，表面活性位点增高，从而使得气敏性能大大提高，气敏性能更加优异，对二氧化氮气体有良好的气敏响应。
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公开(公告)号：CN113354298A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110616541.7
申请日：2021-06-02
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜、制备方法及其应用，属于传感器材料制备领域。本发明的制备方法，将PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之间的空隙，之后进行退火，使得PS球气化，形成SnO2大孔薄膜；之后进行水热反应，在保持规则排列的SnO2大孔结构的基础上，引进MoS2纳米片，通过调控，使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本发明的SnO2/MoS2二维大孔复合材料薄膜，孔状结构有利于气体排出，纳米片的复合使得薄膜比表面积增大，表面活性位点增高，从而使得气敏性能大大提高，气敏性能更加优异，对二氧化氮气体有良好的气敏响应。
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公开(公告)号：CN114990580A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210833561.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种复合异质结构纳米片、制备方法及应用，涉及电催化分解水技术领域。本发明公开了一种金属负载型NiPS3异质结构纳米片的制备方法，采用一步的电化学剥离同步掺杂技术，能够高效地将块体NiPS3材料剥离成厚度薄，横向尺寸大(μm级)的二维纳米片，与此同时将金属原子掺杂在纳米片中，使得其在碱性条件下的析氢性能大幅度提高。本发明的将金属原子掺杂在NiPS3中，金属原子充当掺杂剂在NiPS3晶格中制造的诸多缺陷，一方面引起了电子结构的转换、电荷重新分布，从而增强了体系的电导率，促进载流子传输，有利于催化性能的提升。
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公开(公告)号：CN114990580B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210833561.4
申请日：2022-07-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C25B1/04 , C25B11/091
Abstract: 本发明公开了一种复合异质结构纳米片、制备方法及应用，涉及电催化分解水技术领域。本发明公开了一种金属负载型NiPS3异质结构纳米片的制备方法，采用一步的电化学剥离同步掺杂技术，能够高效地将块体NiPS3材料剥离成厚度薄，横向尺寸大(μm级)的二维纳米片，与此同时将金属原子掺杂在纳米片中，使得其在碱性条件下的析氢性能大幅度提高。本发明的将金属原子掺杂在NiPS3中，金属原子充当掺杂剂在NiPS3晶格中制造的诸多缺陷，一方面引起了电子结构的转换、电荷重新分布，从而增强了体系的电导率，促进载流子传输，有利于催化性能的提升。
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