公开(公告)号：CN107942220A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711035073.4

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  刘培 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  谢仕锋 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths-Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。

公开(公告)号：CN107942220B

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201711035073.4

申请日：2017-10-30

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 李海鸥 ,  刘培 ,  刘洪刚 ,  李琦 ,  陈永和 ,  张法碧 ,  高喜 ,  谢仕锋 ,  首照宇 ,  傅涛 ,  翟江辉

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明涉及一种应用于MOS器件的偏压温度不稳定性的测试方法，主要解决现有技术测试时栅极应力撤销后恢复效应对测量结果产生影响的技术问题。通过测试阀值电压Vth以及该阀值电压对应的漏极电流Id0，在栅极增加应力，测试应力前和应力后相同感应电压下对应的漏极最小电流Idsmeasure,找到Idsmeasure与Id0相等的点对应的施加应力后的阀值电压Vths,根据公式ΔV＝Vths‑Vth计算出没有恢复效应的阀值偏移量的影响的技术方案，较好的解决了该问题，能够用于偏压温度不稳定性的测试。