公开(公告)号：CN101275284B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810000171.9

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  王大江 ,  舒丽辉 ,  黄建伟 ,  邹冰艳

IPC: C30B31/06 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t1时间的扩散掺杂，测量试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算出正式芯片扩散所需时间t2，最后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁按照t2时间对正式芯片进行精确控制的扩散掺杂。因此可以降低生产成本、消除使用氢气的安全隐患，提供均匀、稳定和可控的芯片表面掺杂浓度。

公开(公告)号：CN101275284A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810000171.9

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  王大江 ,  舒丽辉 ,  黄建伟 ,  邹冰艳

IPC: C30B31/06 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以高纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t1时间的扩散掺杂，测量试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算出正式芯片扩散所需时间t2，最后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁按照t2时间对正式芯片进行精确控制的扩散掺杂。因此可以降低生产成本、消除使用氢气的安全隐患，提供均匀、稳定和可控的芯片表面掺杂浓度。

公开(公告)号：CN101275283A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810000056.1

申请日：2008-01-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 黄建伟 ,  刘国友 ,  邹冰艳 ,  王大江 ,  潘昭海

IPC: C30B31/04 ,  H01L21/228 ,  B05B7/30 ,  B05D1/02

Abstract: 公开了一种用于涂覆扩散源的装置，包括至少一个容器，所述容器中具有液态扩散源，所述装置还至少包括一第一管路和至少一第二管路，所述第一管路的一端伸入所述液态扩散源的液面以下，另一端为细嘴状喷口；所述第二管路的一端通入高速流动的压缩气体，另一端为细状喷嘴；所述喷口与喷嘴的位置紧贴，以使从所述喷嘴高速流出的压缩气体能够在所述喷口处形成负压，将所述容器内的液态扩散源110吸出喷成雾状涂覆于硅片表面。本发明能够在晶片表面形成均匀的扩散源涂层。