公开(公告)号：CN109923119B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201780068589.0

申请日：2017-10-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)

公开(公告)号：CN106458849A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024971.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  樱井淳 ,  西田章浩 ,  冈部诚

IPC: C07C215/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08

CPC classification number: C07F1/08 ,  C07C215/08 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN113195784A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082940.0

申请日：2019-12-03

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。(式中，R1表示氢原子或碳原子数1～5的烷基。R2和R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。z1表示1～3的整数。)

公开(公告)号：CN110709381A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037348.4

申请日：2018-05-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩

IPC: C07C251/08 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～4的烷基，R3表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。)

公开(公告)号：CN109715601A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780053070.5

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/04

Abstract: 本发明涉及下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。在通式(I)中，R1表示碳数1～6的直链或支链烷基，M表示镍原子或锰原子。特别地，在通式(I)中，R1为甲基的化合物由于蒸气压高，热分解开始温度高，因而适合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN106458849B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201580024971.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  樱井淳 ,  西田章浩 ,  冈部诚

IPC: C07C215/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08

CPC classification number: C07F1/08 ,  C07C215/08 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN112969812B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201980073135.1

申请日：2019-10-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  远津正挥

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的在基体上通过原子层沉积法制造金属钌薄膜的方法的特征在于，包括以下工序：(A)将包含特定钌化合物的原料气体导入处理气氛中，使该钌化合物沉积在所述基体上的工序；(B)将包含特定化合物的反应性气体导入处理气氛中，使其与沉积在所述基体上的特定钌化合物反应的工序。

公开(公告)号：CN107428677B

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN201680013777.9

申请日：2016-02-12

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  杉浦奈奈 ,  樱井淳 ,  冈部诚

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/06

Abstract: 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)

公开(公告)号：CN109715601B

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN201780053070.5

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/04

公开(公告)号：CN109923119A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068589.0

申请日：2017-10-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)