公开(公告)号：CN109923119B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201780068589.0

申请日：2017-10-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)

公开(公告)号：CN106458849A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580024971.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  樱井淳 ,  西田章浩 ,  冈部诚

IPC: C07C215/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08

CPC classification number: C07F1/08 ,  C07C215/08 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN116529416A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180077611.4

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: C23C16/40

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有铪原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的铪化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在所述基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在300℃以上且小于450℃的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有铪原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基。)

公开(公告)号：CN116457918A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202180077618.6

申请日：2021-11-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  大江佳毅 ,  满井千瑛

IPC: H01L21/31

Abstract: 本发明提供一种薄膜的制造方法，其是通过原子层沉积法在基体的表面制造含有锆原子的薄膜的方法，其包括以下工序：工序1：使将含有下述通式(1)表示的锆化合物的薄膜形成用原料气化而成的原料气体吸附在基体的表面而形成前体薄膜；工序2：排出未反应的原料气体；以及，工序3：在240℃以上450℃以下的温度下使所述前体薄膜与反应性气体反应而在所述基体的表面形成含有锆原子的薄膜。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或碳数1～3的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～3的烷基，但不包括R1和R2两者均为氢原子的锆化合物。)

公开(公告)号：CN107428677A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201680013777.9

申请日：2016-02-12

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  杉浦奈奈 ,  樱井淳 ,  冈部诚

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/06

CPC classification number: C07C251/08 ,  C07F15/06 ,  C07F15/065 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45553

Abstract: 由下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～6的直链或支化状的烷基，R3表示氢原子或碳数1～6的直链或支化状的烷基，M表示金属原子或硅原子，n表示由M表示的金属原子或硅原子的价数。)

公开(公告)号：CN113195784A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980082940.0

申请日：2019-12-03

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 一种原子层沉积法用薄膜形成原料，其含有由下述通式(1)表示的醇盐化合物。(式中，R1表示氢原子或碳原子数1～5的烷基。R2和R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。z1表示1～3的整数。)

公开(公告)号：CN112789367A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065368.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 冈田奈奈 ,  吉野智晴 ,  山下敦史

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于原子层沉积法的薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1～R4各自独立地表示碳数1～5的烷基，A1表示碳数1～5的链烷二基)。

公开(公告)号：CN106660946B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201580040201.7

申请日：2015-07-16

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  吉野智晴 ,  远津正挥

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08 ,  C07F15/06

Abstract: 本发明的醇盐化合物的特征在于由下述通式(I)表示。

公开(公告)号：CN109715601A

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201780053070.5

申请日：2017-07-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07C251/08 ,  C23C16/18 ,  C07F15/04

Abstract: 本发明涉及下述通式(I)表示的二氮杂二烯基化合物。在通式(I)中，R1表示碳数1～6的直链或支链烷基，M表示镍原子或锰原子。特别地，在通式(I)中，R1为甲基的化合物由于蒸气压高，热分解开始温度高，因而适合用作利用CVD法或ALD法的薄膜形成用原料。

公开(公告)号：CN106458849B

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201580024971.2

申请日：2015-04-08

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  樱井淳 ,  西田章浩 ,  冈部诚

IPC: C07C215/08 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F1/08

CPC classification number: C07F1/08 ,  C07C215/08 ,  C09D1/00 ,  C09D5/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的铜化合物由下述通式(I)表示。通式(I)中，R1～R3各自独立地表示碳数1～5的直链或支链烷基，其中，R1和R2为甲基时，R3表示碳数2～5的直链或支链烷基；R1为甲基、R2为乙基时，R3表示甲基或碳数3～5的直链或支链烷基。另外，本发明的薄膜形成用原料含有上述通式(I)表示的铜化合物。根据本发明，可提供熔点低、可在液体状态下输送、而且蒸气压大、容易气化的铜化合物及使用其的薄膜形成用原料。