公开(公告)号：CN110799665A

公开(公告)日：2020-02-14

申请号：CN201880043465.1

申请日：2018-05-17

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 西田章浩 ,  冈田奈奈 ,  大江佳毅

IPC: C23C16/32 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/316 ,  C07F7/28

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种安全性、搬运性以及生产性优异的能用于CVD法的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及用作薄膜形成用原料的新型化合物。为了实现上述目的，本发明是一种含有下述通式(1)所示的化合物的薄膜形成用原料、使用了该原料的薄膜的制造方法以及在说明书中由通式(2)表示的新型化合物。[式(1)中，X表示卤素原子，R表示碳原子数1～5的伯烷基或仲丁基。]

公开(公告)号：CN109923119B

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN201780068589.0

申请日：2017-10-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)

公开(公告)号：CN111032663A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880052124.0

申请日：2018-08-09

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 冈田奈奈 ,  畑濑雅子 ,  西田章浩 ,  樱井淳

IPC: C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/31

Abstract: 本发明在于提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料及使用该原料来形成含有金属的薄膜的薄膜的制造方法：[化1](式中，R1表示氢原子或者碳原子数1～4的烷基，R2表示异丙基、仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基，R3表示氢或者碳原子数1～4的烷基，R4表示碳原子数1～4的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或者镥原子，n表示由M表示的原子的价数。但是，在M为镧原子的情况下，R2为仲丁基、叔丁基、仲戊基、1-乙基丙基或者叔戊基)。

公开(公告)号：CN112789367A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201980065368.7

申请日：2019-09-24

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 冈田奈奈 ,  吉野智晴 ,  山下敦史

IPC: C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/365

Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于原子层沉积法的薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1～R4各自独立地表示碳数1～5的烷基，A1表示碳数1～5的链烷二基)。

公开(公告)号：CN110709381A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880037348.4

申请日：2018-05-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩

IPC: C07C251/08 ,  C07F5/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/30 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明提供由下述通式(1)表示的金属醇盐化合物:(式中，R1和R2各自独立地表示碳数1～4的烷基，R3表示碳数2或3的烷基，M表示钪原子、钇原子、镧原子、铈原子、镨原子、钕原子、钷原子、钐原子、铕原子、钆原子、铽原子、镝原子、钬原子、铒原子、铥原子、镱原子或镥原子，n表示M表示的原子的价数。)

公开(公告)号：CN111344294A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880072963.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  远津正挥 ,  冈田奈奈 ,  畑濑雅子

IPC: C07F15/00 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明的目的在于提供一种蒸气压高、熔点比以往已知的化合物低的钌化合物、含有该化合物的薄膜形成用原料以及使用该原料形成含有钌的薄膜的薄膜的制造方法。为了实现上述目的，提供一种下述通式所示的钌化合物、含有该钌化合物的薄膜形成用原料以及使用了该薄膜形成用原料的薄膜的制造方法。(式中，R1～R3分别独立地表示碳原子数1～5的烷基。其中，在R1为甲基的情况下，R2与R3为不同的基团。)

公开(公告)号：CN109923119A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201780068589.0

申请日：2017-10-05

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 吉野智晴 ,  冈田奈奈 ,  西田章浩 ,  山下敦史

IPC: C07F15/06 ,  C07C257/14 ,  C23C16/18

Abstract: 本发明涉及薄膜形成用原料，其含有下述通式(1)表示的化合物(式中，R1表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，R2表示氢或碳数1～5的直链或支链状的烷基，R3和R4各自独立地表示碳数1～5的直链或支链状的烷基，A表示碳数1～4的链烷二基，M表示铜、铁、镍、钴或锰。)