公开(公告)号：CN110662727B

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN201880032263.7

申请日：2018-04-17

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 西山功兵 ,  田尾幸树

IPC: H01L21/363 ,  C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及溅射靶，其中，金属元素包括In、Ga、Zn及Sn，且所述氧化物烧结体包含由InGaO3(ZnO)m(m为1～6的整数)表示的六方晶层状化合物，当将对于所述氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Zn及Sn的含量的比例(原子％)分别设为[In]、[Zn]及[Sn]时，满足式(1)～式(3)。[Zn]≧40原子％…(1)、[In]≦15原子％…(2)、[Sn]≦4原子％…(3)。根据本发明，即便在添加有大量Zn的In‑Ga‑Zn‑Sn系氧化物烧结体中，也可抑制接合时的破裂的发生。

公开(公告)号：CN110636996A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032267.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 西山功兵 ,  田尾幸树

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体，其中，金属元素包括In、Ga、Zn及Sn，且所述氧化物烧结体包含Ga2In6Sn2O16、ZnGa2O4及InGaZnO4，当将相对于氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Ga、Zn及Sn的含量的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Zn]及[Sn]时，满足式(1)～式(3)。[Ga]≧37原子％…(1)、[Sn]≦15原子％…(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7…(3)。根据本发明，即便在添加有大量Ga的In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体中，也可抑制接合时的破裂的发生。

公开(公告)号：CN110662727A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201880032263.7

申请日：2018-04-17

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 西山功兵 ,  田尾幸树

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体，其中，金属元素包括In、Ga、Zn及Sn，且所述氧化物烧结体包含由InGaO3(ZnO)m(m为1～6的整数)表示的六方晶层状化合物，当将相对于所述氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Zn及Sn的含量的比例(原子％)分别设为[In]、[Zn]及[Sn]时，满足式(1)～式(3)。[Zn]≧40原子％…(1)、[In]≦15原子％…(2)、[Sn]≦4原子％…(3)。根据本发明，即便在添加有大量Zn的In-Ga-Zn-Sn系氧化物烧结体中，也可抑制接合时的破裂的发生。

公开(公告)号：CN110636996B

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN201880032267.5

申请日：2018-04-17

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 西山功兵 ,  田尾幸树

IPC: H01L21/363 ,  C04B35/01 ,  C23C14/34

Abstract: 本发明涉及一种氧化物烧结体及溅射靶，其中，金属元素包括In、Ga、Zn及Sn，且所述氧化物烧结体包含Ga2In6Sn2O16、ZnGa2O4及InGaZnO4，当将相对于氧化物烧结体中所含的除氧以外的全部金属元素而言的In、Ga、Zn及Sn的含量的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Zn]及[Sn]时，满足式(1)～式(3)。[Ga]≧37原子％…(1)、[Sn]≦15原子％…(2)、[Ga]/([In]+[Zn])≧0.7…(3)。根据本发明，即便在添加有大量Ga的In‑Ga‑Zn‑Sn系氧化物烧结体中，也可抑制接合时的破裂的发生。