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公开(公告)号:CN105830173B
公开(公告)日:2018-06-15
申请号:CN201580003181.6
申请日:2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质,上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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公开(公告)号:CN105830173A
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:CN201580003181.6
申请日:2015-01-19
Applicant: 株式会社钟化
CPC classification number: H01L33/42 , C23C14/024 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/35 , C23C14/5806 , G06F3/041 , G06F3/044 , G06F2203/04103 , H01L31/022425 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/0392
Abstract: 本发明提供可以同时实现促进热处理时的结晶化和抑制常温环境下的结晶化的带有透明电极的基板。带有透明电极的基板是在膜基板(100)上形成了由透明导电性氧化物制成的透明电极薄膜(300)。在上述膜基板(100)与上述透明电极薄膜(300)之间形成了含有金属氧化物作为主成分的基底层(200)。上述基底层(200)与上述透明电极薄膜(300)相接触。上述透明电极薄膜(300)为非晶质,上述基底层(200)为介电体且为结晶质。
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