公开(公告)号：CN118525356A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202280088241.9

申请日：2022-12-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丸野尚纪 ,  青木一史 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  古川隆太

IPC: H01L21/304 ,  B23H5/08

Abstract: 本发明的半导体晶片(W)的表面加工方法包含以下的处理、步骤、或者工序：通过在存在电解液(S)的情况下以半导体晶片(W)为阳极使电流密度为20mA/cm2以上的脉冲电流流过，从而对上述半导体晶片的被加工面(W1)进行阳极氧化。在使具有磨石层(32)的表面加工垫(3)中的上述磨石层与上述被加工面对置配置的状态下，通过上述磨石层选择性地去除通过阳极氧化在上述被加工面上生成的氧化物。

公开(公告)号：CN119836680A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202380044949.9

申请日：2023-05-15

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 青木一史 ,  丸野尚纪 ,  巴赫曼·索坦尼 ,  窟贯太郎 ,  古川隆太 ,  加藤裕也

IPC: H01L21/304 ,  B23H5/00 ,  C25F3/16

Abstract: 一种表面加工方法，其为将被加工物(W)的表面、即被加工面(W1)平坦化的表面加工方法，包含以下的步骤、处理、或者工序：通过以夹着碱性电解液(S)使磨石层(32)与上述被加工面相对配置的状态将上述被加工物作为阳极使电流流过，从而因阳极氧化而使上述被加工面生成氧化物。利用上述磨石层而除去因阳极氧化而生成于上述被加工面的上述氧化物。

公开(公告)号：CN118591867A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202280089586.6

申请日：2022-09-02

Applicant: 株式会社电装 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 堀贯太郎 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  青木一史 ,  丸野尚纪 ,  加藤裕也 ,  山村和也 ,  杨旭

IPC: H01L21/304 ,  B23Q3/08 ,  B24B1/00 ,  B24B41/06 ,  H01L21/683

Abstract: 卡盘装置(2)被构成为在使用了阳极氧化的晶片(W)的平坦化时保持晶片。该卡盘装置具备卡盘盖(22)、吸附部(23)以及通电部(24)。吸附部(23)具有吸附晶片(W)的吸附面(20)。通电部(24)设置于吸附部(23)，以使得与吸附于吸附部(23)的晶片(W)接触通电。卡盘盖(22)使吸附面(20)露出并且绝缘性地覆盖吸附部(23)以及通电部(24)。

公开(公告)号：CN115394631A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210565258.0

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社电装 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 青木一史 ,  丸野尚纪 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  加藤裕也 ,  山村和也 ,  杨旭

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/321 ,  H01L21/04

Abstract: 一种用于SiC衬底的表面处理方法，包括以下过程或步骤：在存在电解液(S)的情况下，通过使电流密度为15mA/cm2或更大的电流通过作为阳极的SiC衬底来对SiC衬底的工件表面(W1)进行阳极氧化；将表面处理垫(3)的磨轮层(32)布置成面向工件表面，并且利用磨轮层来选择性地去除通过阳极氧化而形成在工件表面上的氧化物；以及同时或顺序地执行工件表面的阳极氧化以及利用磨轮层对形成在工件表面上的氧化物的选择性去除。

公开(公告)号：CN115464546A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210565266.5

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 青木一史 ,  丸野尚纪 ,  巴赫曼·苏丹尼 ,  加藤裕也 ,  高武恭平 ,  向田慎二 ,  富坂学 ,  石原康生 ,  中泽秀作 ,  山口哲司

IPC: B24B37/00 ,  B24B1/00

Abstract: 提供了用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。提供了使用阳极氧化的用于SiC衬底的表面处理设备和表面处理方法。用于SiC衬底(W)的表面处理设备(1)包括表面处理垫(3)和电源装置(5)。表面处理垫(32)包括磨轮层。磨轮层被布置成面向SiC衬底的工件表面(W1)。电源装置使周期大于0.01秒且小于或等于20秒的脉冲电流在存在电解液(S)的情况下通过作为阳极的SiC衬底来对要由磨轮层处理的工件表面进行阳极氧化。