公开(公告)号：CN101622727A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006210.4

申请日：2008-02-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木聪司 ,  村井敦司 ,  浅野浩章 ,  野田耕嗣 ,  长屋年厚 ,  岩濑昭夫 ,  藤井章 ,  门谷成

IPC: H01L41/083 ,  F02M51/00 ,  F02M51/06 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/0838 ,  F02M63/0026 ,  H01L41/273

Abstract: 一种层叠型压电元件(1)，具有交替层叠压电陶瓷层和内部电极层而形成的陶瓷层叠体、以及一对侧面电极。内部电极层(13、14)具有内部电极部(131、141)和凹进部(132、142)。陶瓷层叠体(15)具有应力缓和部(11、12)。在隔着应力缓和部(11、12)的2个内部电极层(13、14)的凹进部(132、142)之中的、位于与应力缓和部(11、12)相同侧面的凹进部(132、142)的凹进距离，比应力缓和部(11、12)的深度大。

公开(公告)号：CN101622727B

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN200880006210.4

申请日：2008-02-26

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 铃木聪司 ,  村井敦司 ,  浅野浩章 ,  野田耕嗣 ,  长屋年厚 ,  岩濑昭夫 ,  藤井章 ,  门谷成

IPC: H01L41/083 ,  F02M51/00 ,  F02M51/06 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H02N2/00

CPC classification number: H01L41/0838 ,  F02M63/0026 ,  H01L41/273

Abstract: 一种层叠型压电元件(1)，具有交替层叠压电陶瓷层和内部电极层而形成的陶瓷层叠体、以及一对侧面电极。内部电极层(13、14)具有内部电极部(131、141)和凹进部(132、142)。陶瓷层叠体(15)具有应力缓和部(11、12)。在隔着应力缓和部(11、12)的2个内部电极层(13、14)的凹进部(132、142)之中的、位于与应力缓和部(11、12)相同侧面的凹进部(132、142)的凹进距离，比应力缓和部(11、12)的深度大。

公开(公告)号：CN100417621C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200610059492.7

申请日：2006-03-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 门谷成 ,  岩濑昭夫

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/495 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/62218 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/345 ,  H01L41/083 ,  H01L41/273

Abstract: 本发明提供了一种晶体-取向陶瓷的制备方法，该方法包括片料制备步骤，结晶-促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤，制备生料片1。在结晶-促进层形成步骤，形成包含结晶-促进材料颗粒151的结晶-促进层15，以便其与生料片1接触。在煅烧步骤，对生料片进行煅烧。另外，本发明还提供一种陶瓷层压材料的制备方法，该方法包括层压材料-制备步骤和煅烧步骤。在层压材料-制备步骤，制备其中堆叠有生料片和电极-印刷层的层压材料。形成包含所述结晶-促进材料颗粒的结晶-促进层以便该促进层与生料片接触，所述结晶-促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤，对所述层压材料进行煅烧。

公开(公告)号：CN1830895A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610059492.7

申请日：2006-03-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 门谷成 ,  岩濑昭夫

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/495 ,  B32B2315/02 ,  C04B35/62218 ,  C04B37/008 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3294 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/768 ,  C04B2235/787 ,  C04B2237/345 ,  H01L41/083 ,  H01L41/273

Abstract: 本发明提供了一种晶体－取向陶瓷的制备方法，该方法包括片料制备步骤，结晶－促进层形成步骤和煅烧步骤。在片料制备步骤，制备生料片1。在结晶－促进层形成步骤，形成包含结晶－促进材料颗粒151的结晶－促进层15，以便其与生料片1接触。在煅烧步骤，对生料片进行煅烧。另外，本发明还提供－种陶瓷层压材料的制备方法，该方法包括层压材料－制备步骤和煅烧步骤。在层压材料－制备步骤，制备其中堆叠有生料片和电极－印刷层的层压材料。形成包含所述结晶－促进材料颗粒的结晶－促进层以便该促进层与生料片接触，所述结晶－促进材料颗粒在煅烧期间使得多晶物质中的晶粒生长。在煅烧步骤，对所述层压材料进行煅烧。