公开(公告)号：CN104078183A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201310410132.7

申请日：2013-09-10

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H01F1/36 ,  H01F1/24 ,  H05K9/00

Abstract: 提供可以在遍及包括GHz波段的更宽的波段上得到虚数部磁导率μ”的分布的近场用电波吸收片材及其制造方法。本发明的近场用电波吸收片材的特征在于：含有扁平状的软磁性金属粉末、铁氧体粉末以及树脂，所述扁平状的软磁性金属粉末水平取向，该近场用电波吸收片材具有所述铁氧体分散于所述扁平状的软磁性金属粉末之间的结构。

公开(公告)号：CN115135125A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210160861.0

申请日：2022-02-22

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 江口修太 ,  宫原裕之 ,  藏前雅规

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供了一种环状硅氧烷的含量被抑制且颜色不均少的电波吸收片。本发明的电波吸收片为与导电体上接触而使用的共振型电波吸收片，该电波吸收片以硅橡胶和羰基铁粉为基材，在22GHz以上且30GHz以下的范围内具有垂直入射时的回波损耗为最大的共振频率，在上述共振频率的回波损耗为15dB以上，相对于上述基材的质量，环状硅氧烷量D3～D20的合计为5000mg/kg以下，用分光测色仪测定的上述电波吸收片内的色度的差ΔEgap为2.0以下。

公开(公告)号：CN115132158A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210160947.3

申请日：2022-02-22

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规 ,  广濑敬太

IPC: G10K11/162 ,  G10L21/0208

Abstract: 本发明的目的在于提供一种近场用噪声抑制片，其在10GHz的虚部磁导率μ”为2.0以上，在超过10GHz的频带也显现出优异的噪声抑制性能且具有充分的可挠性。本发明的近场用噪声抑制片包含由有机物构成的基材和担载于上述基材中的扁平状的Fe粉末，上述Fe粉末的Fe含量为95mass％以上、厚度为1μm以下且粉末直径为20μm以下，Fe粉末相对于上述基材的填充量为40vol％以上且70vol％以下，在粉末X射线衍射中检测的Fe的bcc(200)面的峰的半宽度为0.4以上。

公开(公告)号：CN103377790A

公开(公告)日：2013-10-30

申请号：CN201310150616.2

申请日：2013-04-26

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规 ,  小野敬

IPC: H01F7/02 ,  H01F1/24

Abstract: 本发明涉及一种适于吸收高频噪声电波的电波吸收片。该电波吸收片含有树脂材料和磁性金属颗粒，该磁性金属颗粒为含有铁（Fe）、钴（Co）、钒（V）的磁性金属颗粒，其中，相对于铁（Fe）、钴（Co）的原子数总和，钴（Co）原子数的比例在20%以上、60%以下，相对于铁（Fe）、钴（Co）、钒（V）的原子数总和，钒（V）原子数的比例在1.5%以上、2.5%以下。

公开(公告)号：CN116896853A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310095810.9

申请日：2023-01-30

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H05K9/00

Abstract: 本发明提供一种电磁干扰抑制片，其容易区分近场用和远场用，能够在从准毫米波到毫米波的波段稳定地得到优异的噪声衰减效果。本发明的电磁干扰抑制片包含由有机物构成的片状的基材和担载于上述基材中的球状石墨粉末，上述球状石墨粉末的平均粒径为2μm以上且40μm以下，上述球状石墨粉末的平均球化率为50％以上，上述球状石墨粉末的含量为20体积％以上且70体积％以下。

公开(公告)号：CN110892492A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047397.6

申请日：2018-08-03

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H01F1/28 ,  B22F1/00 ,  C08J7/04 ,  C08K3/02 ,  C08K3/10 ,  C08K3/22 ,  C08K3/38 ,  C08L101/00 ,  C22C38/00 ,  C22C45/02 ,  H01F1/153 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供μ″色散的上升频率存在于1～10MHz、且μ″色散分布至GHz频带的阻燃性的近场用噪声抑制片。本发明的近场用噪声抑制片，其特征在于，包含由有机物构成的基材、承载于基材中的扁平状的合金粉末、以及分散在基材中的阻燃剂，上述合金粉末为Fe100-X1-Y1(Si,P,C)X1CuY1的合金粉末(16≤X1+Y1≤24、14.5≤X1≤24且0≤Y1≤1.5)和/或Fe100-X2-Y2(Si,B,C)X2CuY2的合金粉末(16≤X2+Y2≤24、14.5≤X2≤24且0≤Y2≤1.5)，其相结构仅由非晶质相构成，或者由非晶质相和以α-Fe为主体的结晶相混合存在的相构成，阻燃剂的平均粒径为10μm以下，近场用噪声抑制片的密度为2.5g/cm3以上。

公开(公告)号：CN104078183B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310410132.7

申请日：2013-09-10

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H01F1/36 ,  H01F1/24 ,  H05K9/00

Abstract: 提供可以在遍及包括GHz波段的更宽的波段上得到虚数部磁导率μ”的分布的近场用电波吸收片材及其制造方法。本发明的近场用电波吸收片材的特征在于：含有扁平状的软磁性金属粉末、铁氧体粉末以及树脂，所述扁平状的软磁性金属粉末水平取向，该近场用电波吸收片材具有所述铁氧体分散于所述扁平状的软磁性金属粉末之间的结构。

公开(公告)号：CN110892492B

公开(公告)日：2021-03-09

申请号：CN201880047397.6

申请日：2018-08-03

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H01F1/28 ,  B22F1/00 ,  C08J7/04 ,  C08K3/02 ,  C08K3/10 ,  C08K3/22 ,  C08K3/38 ,  C08L101/00 ,  C22C38/00 ,  C22C45/02 ,  H01F1/153 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供μ″色散的上升频率存在于1～10MHz、且μ″色散分布至GHz频带的阻燃性的近场用噪声抑制片。本发明的近场用噪声抑制片，其特征在于，包含由有机物构成的基材、承载于基材中的扁平状的合金粉末、以及分散在基材中的阻燃剂，上述合金粉末为Fe100‑X1‑Y1(Si,P,C)X1CuY1的合金粉末(16≤X1+Y1≤24、14.5≤X1≤24且0≤Y1≤1.5)和/或Fe100‑X2‑Y2(Si,B,C)X2CuY2的合金粉末(16≤X2+Y2≤24、14.5≤X2≤24且0≤Y2≤1.5)，其相结构仅由非晶质相构成，或者由非晶质相和以α‑Fe为主体的结晶相混合存在的相构成，阻燃剂的平均粒径为10μm以下，近场用噪声抑制片的密度为2.5g/cm3以上。

公开(公告)号：CN1964583B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200610153889.2

申请日：2006-09-14

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H05B3/14

CPC classification number: H05B2203/018

Abstract: 本发明提供了耐热性和耐粉糊性优良、接合强度高、耐久性优异的二硅化钼系陶瓷发热体。所述二硅化钼系陶瓷发热体由二氧化硅系氧化物的含量为5～25体积％的发热部和30～60体积％的端子部相接合而构成。另外，也可以在二氧化硅系氧化物含量为大于等于5体积％、小于15体积％的发热部和30～60体积％的端子部之间，设置二氧化硅系氧化物含量为大于等于15体积％、小于30体积％的中间部。

公开(公告)号：CN1964583A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610153889.2

申请日：2006-09-14

Applicant: 株式会社理研

Inventor： 藏前雅规

IPC: H05B3/14

CPC classification number: H05B2203/018

Abstract: 本发明提供了耐热性和耐粉糊性优良、接合强度高、耐久性优异的二硅化钼系陶瓷发热体。所述二硅化钼系陶瓷发热体由二氧化硅系氧化物的含量为5～25体积％的发热部和30～60体积％的端子部相接合而构成。另外，也可以在二氧化硅系氧化物含量为大于等于5体积％、小于15体积％的发热部和30～60体积％的端子部之间，设置二氧化硅系氧化物含量为大于等于15体积％、小于30体积％的中间部。