公开(公告)号：CN105339454A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480037013.4

申请日：2014-06-27

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 大村一浩 ,  渡部政邦 ,  桥本诚夫 ,  铃木裕二 ,  船木竜也

IPC: C09J131/04 ,  B32B7/12 ,  C03C27/12 ,  C09J5/06 ,  C09J7/00 ,  C09J11/06 ,  C09J123/08

CPC classification number: C09J123/0853 ,  B32B17/10036 ,  B32B17/10788 ,  B32B27/306 ,  B32B37/06 ,  B32B37/10 ,  B32B37/14 ,  B32B2457/12 ,  B32B2581/00 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J2201/61 ,  C09J2203/322 ,  C09J2205/114 ,  C09J2400/143 ,  C09J2423/04 ,  C09J2431/00 ,  H01L31/0481 ,  Y02E10/50

Abstract: 提供了：一种层叠体形成用片，其包含EVA作为主要组分并且能够通过使用轧辊加压的工序从使用所述片制造的层叠体充分除去气泡，从而制造良好的层叠体；和所述层叠体的制造方法。一种层叠体形成用片，其可以用于包括使用轧辊加压的工序的层叠体制造方法，所述片的特征在于，其包括：包含EVA和交联剂的组合物，其中，相对于EVA的量，在EVA中的乙酸乙烯酯的含量是30质量％以上，并且EVA的熔体流动速率(JIS-K7210)为5g/10分钟以下；和使用所述片的层叠体的制造方法。

公开(公告)号：CN101622919A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880007033.1

申请日：2008-03-05

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 小坪秀史 ,  船木竜也 ,  笹木清美 ,  半泽健太郎

IPC: H05K9/00 ,  B32B15/08 ,  E04B1/92 ,  G09F9/00

CPC classification number: H05K9/0096 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1669 ,  C23C18/30 ,  C23C18/31 ,  C23C18/405 ,  H05K9/0005 ,  H05K2201/0221 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2998

Abstract: 本发明提供可迅速地制造透光性、电磁波屏蔽性、外观性及识别性优异，具有高精度网状图案的透光性电磁波屏蔽材料的方法。该透光性电磁波屏蔽材料的制造方法包含以下工序：通过将含有表面具有贵金属的极薄的膜的微粒的化学镀预处理剂以网状印刷于透明基板上，在透明基板上形成网状的前处理层的工序；以及利用化学镀处理在前处理层上形成网状的金属导电层的工序。

公开(公告)号：CN101869010A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117109.6

申请日：2008-11-11

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 船木竜也 ,  小坪秀史 ,  笹木清美 ,  竹之内秀章 ,  岩渊芳典

IPC: H05K9/00 ,  B32B7/02 ,  B32B15/08 ,  B41M1/06 ,  B41M1/10 ,  G09F9/00

CPC classification number: B41M1/10 ,  H05K9/0096

Abstract: 本发明提供简便地形成无断线的网状图像的图像形成方法；以及提供简便地制造具有无断线的网状的导电层、电磁波屏蔽性优异的透光性电磁波屏蔽材料的方法。一种图像形成方法，其包括通过使用表面的凹部的图案为网状的滚筒的凹版印刷将图像形成用墨图案印刷至基板的表面而形成网状图像的工序，其特征在于，滚筒表面的网状图案的网格的交点部分中的、凹部的底部的面积被缩减。一种透光性电磁波屏蔽材料的制造方法，其特征在于包括：通过使用表面的凹部的图案为网状的滚筒的凹版印刷将化学镀前处理剂图案印刷至透明基板的表面而形成网状前处理层的工序；以及利用化学镀处理在前处理层上形成网状的金属导电层的工序，其中滚筒表面的网状图案的网格的交点部分中的、凹部的底部的面积被缩减。

公开(公告)号：CN101622714B

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：CN200880006112.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 椎野修 ,  岩渊芳典 ,  樱井良 ,  船木竜也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。

公开(公告)号：CN108431154A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075265.5

申请日：2016-12-15

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 浦田智裕 ,  武者信一 ,  早川光太郎 ,  船木竜也 ,  大迫章英

IPC: C09D175/14 ,  B32B25/08 ,  B32B27/40 ,  B60C11/00 ,  C09D7/63

Abstract: 本发明的目的是提供获得具有良好的对基材的密合性和良好的耐弯曲疲劳性的固化膜的涂覆组合物。进一步，本发明的目的是提供由该涂覆组合物获得的固化膜，和其中形成了该固化膜的轮胎和层叠体。根据本发明的涂覆组合物的特征在于包含多硫醇化合物(A)、具有烯键式不饱和基团的聚氨酯(B)和自由基产生剂(C)。

公开(公告)号：CN101622714A

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200880006112.0

申请日：2008-01-30

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 椎野修 ,  岩渊芳典 ,  樱井良 ,  船木竜也

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 薄膜晶体管，其设置有以下各元件：源电极、漏电极和栅电极三个电极；沟道层；和栅绝缘膜，其中至少所述沟道层由包括铟的金属氧化物膜制成。由此，可以获得薄膜晶体管，其可制造在高聚合物基材上的元件而不施加高温工艺，并且其能够以低成本实现高性能和高可靠性。