公开(公告)号：CN102460712A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080026144.4

申请日：2010-04-16

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 椎野修 ,  杉江薰 ,  岩渊芳典

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363

CPC classification number: C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: (1)公开了薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，薄膜晶体管的特征是沟道层由掺杂有钨和锌和/或锡的氧化铟膜形成。(2)公开了双极性薄膜晶体管，其包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，双极性薄膜晶体管的特征是沟道层是有机材料膜和金属氧化物膜的层叠体，金属氧化物膜包含掺杂有钨、锡和钛中的至少一种的铟且具有预先控制的电阻率。(3)公开了用于制造薄膜晶体管的方法，晶体管包括元件，即源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极绝缘膜，制造薄膜晶体管的方法的特征是至少沟道层或沟道层的一部分是使用含铟靶材在不加热基板的情况下通过溅射处理形成金属氧化物膜而形成的，在基板上形成上述元件之后执行热处理。