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公开(公告)号：CN100590862C
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200710084824.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/532 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H05K1/097 , H05K3/105
Abstract: 在由涂布制作廉价有机晶体管时，存在廉价的电极材料与半导体的接触电阻大而接触电阻小的电极材料则昂贵的问题。为了解决该问题，本发明提供材料费和制造成本低廉且与半导体的接触电阻小的高性能有机晶体管及其制造方法。制作电极本体由廉价的第一金属构成，其表面覆盖高价且高新能的第二金属这样的结构。为了廉价且稳定获得该结构，利用第一金属和第二金属的合金中第二金属易于表面偏析的性质。
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公开(公告)号：CN100517745C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200710163065.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0545
Abstract: 提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
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公开(公告)号：CN110914043B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201880046040.6
申请日：2018-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 一种树脂金属复合体(10)，其具备金属构件(2)以及树脂构件(1)，该树脂构件(1)与金属构件(2)接合且具有能够对于存在于金属构件(2)表面的官能团可逆地解离和结合的动态共价键。而且，在将金属构件(2)与树脂构件(1)重合之后进行加热，由此得到树脂金属复合体(10)。进而，在树脂金属复合体(10)中，通过对金属构件(2)与树脂构件(1)的接合部分进行加热，将树脂金属复合体(10)解体。
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公开(公告)号：CN110945060A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880049426.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C08J5/06 , D06M13/184
Abstract: 一种纤维增强树脂(10)，其中，树脂(1)具有通过外部刺激可逆地解离和结合的动态共价键，在纤维(3)的表面担载有促进所述动态共价键的解离和结合的催化剂(2)。纤维增强树脂(10)通过经以下工序得到，即：担载工序，通过使纤维(3)与分散有催化剂(2)的有机溶液接触后干燥，从而使催化剂(2)担载于纤维(3)的表面；以及树脂接触固化工序，使树脂(1)的溶液与经该担载工序得到的在表面担载有催化剂(2)的纤维(3)接触后固化。
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公开(公告)号：CN101162729A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710163065.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/105 , H01L51/0545
Abstract: 提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101106153A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710084820.3
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L51/0021 , H01L51/0545 , H01L51/105
Abstract: 本发明的目的是提供在有机TFT中，对电子注入效率和空穴注入效率得以改善的电极和有机半导体组合分别进行判别的方法，实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而提供互补型TFT(CTFT)晶体管。为此，推导出通常从电极和有机半导体构成元素的物理常数推导出电极金属－有机半导体界面中真空能级位移Δ的方法。通过电化学手段使电极金属变化，制成可以控制电子注入和空穴注入的电极。通过这些电极来实现n型沟道FET和p型沟道FET两种FET，进而，提供了互补型TFT(CTFT)晶体管。
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公开(公告)号：CN1428820A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02126975.0
申请日：2002-07-26
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L29/66537 , H01L21/3003 , H01L21/823807 , H01L29/1083 , H01L29/66545 , H01L29/66621 , H01L29/7834
Abstract: 提供一种半导体装置及其制造方法，更具体地，提供一种低成本的δ掺杂技术，其可防止MOSFET的微细化时产生击穿现象的问题，且不会牺牲器件的特性。为此，使掺杂到半导体衬底中的磷原子偏析于表面，并以该表面层作为δ掺杂层使用。此处所谓偏析是指杂质原子以高于半导体衬底内部的浓度分布在表面附近。
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公开(公告)号：CN112469978B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201980047204.1
申请日：2019-03-20
Applicant: 株式会社日立制作所
Abstract: 运算装置(6)具有颜色评价部(62)，该颜色评价部(62)从在第2拍摄环境下拍摄显示物(7)而得到的测量时的拍摄数据分别获取传感器色和4个以上的参考色，基于自运算装置存储部(61)读取的第1拍摄环境下的4个以上的参考色的颜色信息到自拍摄数据获取的第2拍摄环境下的4个以上参考色的颜色信息的变化量，求取第1拍摄环境与第2拍摄环境之间的颜色的变换系数，基于从测量时的拍摄数据获取的传感器色和颜色的变换系数，计算包含表示仿射变换的平移的项的变换式，来将传感器色修正成与在第1拍摄环境下拍摄的情况一致。
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公开(公告)号：CN110945060B
公开(公告)日：2022-04-19
申请号：CN201880049426.2
申请日：2018-03-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: C08J5/06 , D06M13/184
Abstract: 一种纤维增强树脂(10)，其中，树脂(1)具有通过外部刺激可逆地解离和结合的动态共价键，在纤维(3)的表面担载有促进所述动态共价键的解离和结合的催化剂(2)。纤维增强树脂(10)通过经以下工序得到，即：担载工序，通过使纤维(3)与分散有催化剂(2)的有机溶液接触后干燥，从而使催化剂(2)担载于纤维(3)的表面；以及树脂接触固化工序，使树脂(1)的溶液与经该担载工序得到的在表面担载有催化剂(2)的纤维(3)接触后固化。
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公开(公告)号：CN101071803A
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200710084824.1
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L23/532 , H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , H01B1/02 , H01B1/16 , H01L51/0545 , H01L51/105 , H05K1/097 , H05K3/105
Abstract: 在由涂布制作廉价有机晶体管时，存在廉价的电极材料与半导体的接触电阻大而接触电阻小的电极材料则昂贵的问题。为了解决该问题，本发明提供材料费和制造成本低廉且与半导体的接触电阻小的高性能有机晶体管及其制造方法。制作电极本体由廉价的第一金属构成，其表面覆盖高价且高新能的第二金属这样的结构。为了廉价且稳定获得该结构，利用第一金属和第二金属的合金中第二金属易于表面偏析的性质。
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