公开(公告)号：CN110581070B

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN201910694618.5

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104395991B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201380034241.1

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L27/146 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN107403840A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710606836.X

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫本敏行 ,  野村昌史 ,  羽持贵士 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、以及该半导体装置的制造方法。具体地，提供一种可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。

公开(公告)号：CN107403840B

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN201710606836.X

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫本敏行 ,  野村昌史 ,  羽持贵士 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、以及该半导体装置的制造方法。具体地，提供一种可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。

公开(公告)号：CN107123688A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710352139.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104285302B

公开(公告)日：2017-08-22

申请号：CN201380024388.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫本敏行 ,  野村昌史 ,  羽持贵士 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。提供一种半导体装置，该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。

公开(公告)号：CN107123688B

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN201710352139.6

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786

Abstract: 提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN110581070A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910694618.5

申请日：2013-06-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/24

Abstract: 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管的半导体装置中，抑制电特性的变动且提高可靠性。包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，优选小于或等于3×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3，并且通过热脱附谱分析法从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，优选小于或等于5×1021分子/cm3，更优选小于或等于1×1021分子/cm3。

公开(公告)号：CN104285302A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380024388.2

申请日：2013-04-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫本敏行 ,  野村昌史 ,  羽持贵士 ,  冈崎健一

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1345 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L29/401 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供可防止由静电放电损伤引起的产率下降的高可靠性的半导体装置。提供一种半导体装置，该半导体装置包括栅电极层、栅电极层上的第一栅极绝缘层、位于第一栅极绝缘层上且具有比第一栅极绝缘层小的厚度的第二栅极绝缘层、第二栅极绝缘层上的氧化物半导体层、以及与氧化物半导体层电连接的源电极层及漏电极层。第一栅极绝缘层含有氮且其对应于在电子自旋共振波谱法中在g因子为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3或更低。第二栅极绝缘层含有氮且具有比第一栅极绝缘层低的氢浓度。

公开(公告)号：CN107026089B

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN201710352132.4

申请日：2013-06-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  佐佐木俊成 ,  羽持贵士 ,  宫本敏行 ,  野村昌史 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一

IPC: H01L21/34 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明涉及用于制造半导体装置的方法，提供一种包含氧化物半导体的电特性变化得到抑制或者可靠性得到提高的半导体装置。在包括形成沟道形成区的氧化物半导体膜的半导体装置中，在上述氧化物半导体膜上设置有抑制水渗入且至少含有氮的绝缘膜以及抑制从该绝缘膜释放出的氮渗入的绝缘膜。作为渗入氧化物半导体膜的水，可以举出包含在空气中的水、设置在抑制水渗入的绝缘膜上的膜中的水等。另外，作为抑制水渗入的绝缘膜，可以使用氮化物绝缘膜，并且通过加热从该氮化物绝缘膜释放出的氢分子的量低于5.0×1021分子/cm3。