公开(公告)号：CN1383188A

公开(公告)日：2002-12-04

申请号：CN02121806.4

申请日：2002-04-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本耕治 ,  井上壮一 ,  田中聪 ,  臼井聪

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  G03F1/00

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 一种曝光掩模的图案修正方法,包括:准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组;在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下,使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块;以及使用所述修正规则或所述修正模块,在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。

公开(公告)号：CN100468193C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN02121806.4

申请日：2002-04-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本耕治 ,  井上壮一 ,  田中聪 ,  臼井聪

IPC: G03F1/08 ,  H01L21/027 ,  G06F17/50

CPC classification number: G03F1/36

Abstract: 提供一种曝光掩模的图案修正方法和半导体器件的制造方法。该曝光掩模的图案修正方法包括：准备包含使用曝光掩模在衬底上形成图案的多个单元工序的单元工序组；在所述多个单元工序中的至少一个单元工序中产生变更的情况下，使用第一和第二邻近效应数据来设定在所述曝光掩模中实施邻近效应修正用的修正规则或修正模块；以及使用所述修正规则或所述修正模块，在所述曝光掩模中实施邻近效应修正。还涉及使用上述修正方法的半导体器件的制造方法。