公开(公告)号：CN1314116C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si-H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时，CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si-H结合体的数量设定为0.6×1021cm-3或更少，从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外，通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm-3或更高可以提高抗湿性。

公开(公告)号：CN1189920A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97190416.2

申请日：1997-04-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 园田真久 ,  首藤晋 ,  田中米洼 ,  伊高利昭 ,  角田弘昭 ,  荒木仁

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/291 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/564 ,  H01L27/10844 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在采用包含具有Si－H结合体的气体作为材料气体制作CVD薄膜(层间绝缘薄膜或钝化薄膜)时,CVD薄膜(12、31、32、33、34、47、48、49、57、59)中的Si－H结合体的数量设定为0.6×1021cm－3或更少,从而抑制栅极氧化物薄膜或隧道氧化物薄膜中的电子陷阱的形成并防止晶体管阈值的变化。此外,通过将CVD薄膜的折射率设定为1.65或更大或将CVD薄膜中的氮浓度设定为3×1021cm－3或更高可以提高抗湿性。