公开(公告)号：CN114447227A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202110985788.6

申请日：2021-08-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 志茂俊辅 ,  森茂彦 ,  都鸟显司 ,  水口浩司

IPC分类号： H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  B05C1/08 ,  B05D1/26 ,  C09D5/32

摘要： 本发明涉及光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。提供能改善特性的光电转换元件、涂布液、涂布方法和涂布装置。根据实施方式，光电转换元件包含第1导电层、第2导电层和设于上述第1导电层及上述第2导电层之间的光电转换层。上述光电转换层包含钙钛矿型化合物和第1化合物，上述第1化合物包含选自吡咯烷酮衍生物、尿素衍生物、咪唑衍生物、吡啶衍生物和二胺衍生物中的至少一种。

公开(公告)号：CN105339460A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201480036402.5

申请日：2014-06-03

申请人： 株式会社东芝

发明人： 中野义彦 ,  五反田武志 ,  森茂彦 ,  早濑留美子

IPC分类号： C09K11/00 ,  C08G61/12 ,  H01B1/00 ,  H01L51/00

CPC分类号： H01L51/0036 ,  C08G61/126 ,  C08G75/00 ,  C08G2261/1412 ,  C08G2261/1424 ,  C08G2261/148 ,  C08G2261/149 ,  C08G2261/314 ,  C08G2261/3243 ,  C08G2261/344 ,  C08G2261/91 ,  H01L51/0043 ,  H01L51/0047 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

摘要： 在一实施方式中，聚合物包括由如下所示的式(1)表示的重复单元。该聚合物的重均分子量为3000以上至1000000以下的范围。式中，R1表示选自氢、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳族基、和取代或未取代的杂芳族基中的一价基团。R2、R3和R4独立地表示选自氢、卤素、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳族基、和取代或未取代的杂芳族基中的一价基团。X、Y和Z独立地表示选自O、S和Se的原子。

公开(公告)号：CN113646913A

公开(公告)日：2021-11-12

申请号：CN202080018229.1

申请日：2020-03-10

申请人： 株式会社东芝 ,  东芝能源系统株式会社

发明人： 森茂彦 ,  中尾英之 ,  天野昌朗 ,  都鸟显司 ,  藤永贤治

IPC分类号： H01L51/44

摘要： 实施方式的光电变换器件1具备：基板(2)；第1组件区域(3A)，具备第1下部电极(5A)、包含钙钛矿化合物的第1光电变换层(6A)以及第1上部电极(7A)；第2组件区域(3B)，具备第2下部电极(5B)、包含钙钛矿化合物的第2光电变换层(6B)以及第2上部电极(7B)；以及组件间区域(4A)，具备使下部电极间分离的第1槽(8)、使光电变换层间分离的第2槽(9)、将第1上部电极与第2下部电极进行电连接的导电部(11)以及使上部电极间分离的第3槽(10)。包括第1以及第2下部电极的基板和第1以及第2上部电极中的至少一方包含透光性材料。包含光反射材料、光散射材料以及光吸收材料中的至少1个材料的构件以覆盖第1槽、第2槽以及第3槽的第1组件区域侧的侧壁的方式配置于透光性材料侧。