公开(公告)号：CN102254947A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201110135949.9

申请日：2011-05-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 佐藤嘉展 ,  铃木聪史

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66659 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7835

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：第一杂质区域，其形成于具有第一导电型的半导体层的表面部，具有第二导电型；主体区域，其以与第一杂质区域接触的方式相邻地形成，具有第一导电型；第二杂质区域，其与主体区域分离而形成于第一杂质区域并具有第二导电型，其深度比第一杂质区域小；源极区域，其形成于主体区域的表面部，具有第二导电型；漏极区域，其形成于第二杂质区域的表面部，具有第二导电型；和隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极。在半导体装置的优选实施方式中，第二杂质区域具有比第一杂质区域高的杂质浓度，并且第一杂质区域的深度小于1μm。