公开(公告)号：CN1142673A

公开(公告)日：1997-02-12

申请号：CN96104261.3

申请日：1996-03-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口明实 ,  寺井由佳 ,  矢野航作

IPC: H01B1/16 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的成膜材料是具有与Cu配位且含Si的六节环构造、一般式可用(通式1)表示的化合物。在上述一般式中，X1和X2比如说是O、S、Se、Te等的与Cu进行配位结合的同种或异种的VI族的元素.Y1、Y2和Y3三者之中的至少一个是Si。L为具有双键或三键且可把电子供与Cu的原子团。R1和R2比如说是SiF3、SiH3、CF3或者CH3。

公开(公告)号：CN1075658C

公开(公告)日：2001-11-28

申请号：CN96104261.3

申请日：1996-03-20

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口明实 ,  寺井由佳 ,  矢野航作

IPC: H01B1/16 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/32051 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的成膜材料是具有与Cu配位且含Si的六节环构造、一般式可用表示的化合物。在上述一般式中，X1和X2比如说是O、S、Se、Te等的与Cu进行配位结合的同种或异种的Ⅵ族的元素。Y1、Y2和Y3三者之中的至少一个是Si。L为具有双键或三键且可把电子供与Cu的原子团。R1和R2比如说是SiF3、SiH3、CF3或者CH3。