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公开(公告)号：CN101640530A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200910165005.9
申请日：2009-07-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0175 , H03F3/189 , H03F3/20 , H04B7/00
CPC classification number: H04B1/04 , G01R19/0092 , H03F3/191 , H03F3/245
Abstract: 本发明公开了一种检波电路及无线通信系统。目的是提供一种能够通过很简单的电路，来按照高频功率放大器的负载变动或调制波模式的不同，显示正确的功率电平，并且，较容易内置在高频功率放大器中的检波电路、及使用了该检波电路的无线通信系统。具有用以检测来自偏置电路(6)的部分电流的检测用电阻器(11)、及用以将经由检测用电阻器(11)而获得的电流转换成电压的电流—电压转换电路(12)。由于在检测提供给放大用晶体管(1)的偏置电路6的电流时，当高频功率放大器的负载变动时，放大用晶体管(1)的输出电流发生变化，输入电流及偏置电路电流也与该变化成比例地发生变化，因此能够使检波输出电压追随高频功率放大器的负载变化。
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公开(公告)号：CN101043202B
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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公开(公告)号：CN101043202A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200710088411.0
申请日：2007-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种用于对高频信号进行功率放大的具有温度补偿功能的高频功率放大器，包括：功率放大晶体管，其具有接地的发射极；高功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的高功率输出相对应的高功率输出电流提供给功率放大晶体管；以及低功率输出偏置电路，其将与高频功率放大器的低功率输出相对应的低功率输出电流提供给功率放大晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1866729A
公开(公告)日：2006-11-22
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1－Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1－TRn的基极被放大，并从每个晶体管TR1－TRn的集电极输出。每个晶体管TR1－TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1－Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1－TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN1379544A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02106117.3
申请日：2002-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03D7/12
CPC classification number: H03D7/125
Abstract: 本发明提供了一种能够减少电流消耗而不损害射频特性的频率变换电路。本地振荡放大器由第一场效应晶体管构成。其源极在高频时由第一电容器接地,其栅极与第一、第二电阻的每个的一端相连。第一电阻的另一端接地,第二电阻的另一端和电源端子相连。中频放大器由第二场效应晶体管构成。其源极通过相互并联的第三电阻和第二电容器接地。其漏极通过第三电容器和中频输出匹配电路与中频信号输出端相连。第一场效应晶体管的源极和第二场效应晶体管的漏极通过交流阻断电路相连。
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公开(公告)号：CN100593902C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200610084725.9
申请日：2006-05-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/30 , H03F3/189 , H03F3/20 , H03F2203/21178
Abstract: 将射频信号RF经由电容器C1-Cn当中的相应电容器输入到每个晶体管TR1-TRn的基极，被放大，并从每个晶体管TR1-TRn的集电极输出。每个晶体管TR1-TRn的发射极接地。将从偏置电路Bias提供的偏置电压DC经由电阻器Ra1-Ran当中的相应电阻器输送给每个晶体管TR1-TRn的基极。用于偏置电压DC的信号线以直流方式经由桥接电阻器R连接到用于射频信号RF的输入线。
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公开(公告)号：CN101162928A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200710180124.2
申请日：2007-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H03F1/56 , H03F3/191 , H03F2200/318
Abstract: 小巧的高性能高频功率放大器易于调节和切换阻抗。高频功率放大器模块包括：第一半导体芯片，包括一个或多个高频放大装置；以及第二半导体芯片，包括一个或多个高频匹配电路装置和一个或多个开关装置。第二半导体芯片包括用于高频放大器装置的匹配电路。第二半导体芯片也包括由电容和与电容串联或并联的开关装置组成的电路。开关装置接通或者断开，使得电容连接或者不连接作为匹配电路的一部分。
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公开(公告)号：CN1241322C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN02106117.3
申请日：2002-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03D7/12
CPC classification number: H03D7/125
Abstract: 本发明提供了一种能够减少电流消耗而不损害射频特性的频率变换电路。本地振荡放大器由第一场效应晶体管构成。其源极在高频时由第一电容器接地，其栅极与第一、第二电阻的每个的一端相连。第一电阻的另一端接地，第二电阻的另一端和电源端子相连。中频放大器由第二场效应晶体管构成。其源极通过相互并联的第三电阻和第二电容器接地。其漏极通过第三电容器和中频输出匹配电路与中频信号输出端相连。第一场效应晶体管的源极和第二场效应晶体管的漏极通过交流阻断电路相连。
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