公开(公告)号：CN1534638A

公开(公告)日：2004-10-06

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: G11B7/125 ,  H01S5/30

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层105、Ti层110a和110b、Au层111a和111b、散热层113和焊料层114覆盖的p型层100。在Au层111b上设置并固定半导体激光器元件10。散热层113插入在Au层111a和Ti层110b之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元50在它的表面处包括作为反射层的Al层116和介电层117，其为蓝光激光束提供高折射率。

公开(公告)号：CN1185662A

公开(公告)日：1998-06-24

申请号：CN97126412.0

申请日：1997-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷干彦 ,  根上卓之 ,  小原直树 ,  和田隆博 ,  桥本泰宏

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 在把P型黄铜矿结构半导体做成光吸收层的薄膜太阳电池中,在P型黄铜矿结构半导体薄膜和n型结构半导体薄膜之间,形成电阻率比该P型黄铜矿结构半导体还要大的材料。在混合Ⅲb族元素盐(例如:lnCl3)、含Ⅵb族元素的有机化合物(例如:CH3CSNH2)、酸(例如:HCl)的溶液中,浸P型黄铜矿结构半导体(例如:CulnSe2),以此形成该材料。

公开(公告)号：CN1933261A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610127408.0

申请日：2006-09-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  竹原浩成 ,  岩井誉贵 ,  安川久忠

IPC: H01S5/00 ,  H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/026 ,  H01S5/028

CPC classification number: H01S5/40 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4087

Abstract: 一种半导体激光单元，包括：激光发射部分，其包括具有不同激光束波长的多个半导体激光元件；镜面部分，其具有用于反射从该激光发射部分发射出来的激光束的光反射膜。该镜面部分被设计成多个区域，从多个半导体激光元件中的每个半导体激光元件发出的每束激光进入这些区域，同时在每个区域中，都提供有对选择性进入该区域的激光束具有高反射系数的反射膜。

公开(公告)号：CN1156026C

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN97126412.0

申请日：1997-10-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西谷干彦 ,  根上卓之 ,  小原直树 ,  和田隆博 ,  桥本泰宏

IPC: H01L31/06 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池，包括以下部分：衬底；背电极，形成在所述衬底上；p型黄铜矿结构半导体膜，形成在所述背电极上；n型半导体膜，形成以与所述p型黄铜矿结构半导体膜形成pn结构；透明电极，形成在所述n型半导体膜上；其特征是：在所述p型黄铜矿结构半导体膜和所述n型半导体膜之间形成电阻率比所述p型黄铜矿结构半导体膜高的材料，该材料在p-型黄铜矿结构半导体膜表面上的多个晶界上形成岛状。

公开(公告)号：CN1270418C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200410005088.2

申请日：2004-01-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小原直树 ,  岩元伸行 ,  高森晃 ,  松田俊夫

IPC: H01S5/30 ,  G11B7/125

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/005 ,  H01S5/0071 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: 一种用于高位置精度发射激光束的半导体蓝光激光器装置以及该装置的制造方法，通过在半导体衬底上以高精度和高可靠性安装半导体激光器元件来获得该装置。在衬底表面内的凹槽具有由SiN层(105)、Ti层(110a)和(110b)、Au层(111a)和(111b)、散热层(113)和焊料层(114)覆盖的p型层(100)。在Au层(111b)上设置并固定半导体激光器元件(10)。散热层(113)插入在Au层(111a)和Ti层(110b)之间并具有大约20μm的厚度。用于反射激光束LB的反射单元(50)在它的表面处包括作为反射层的Al层(116)和介电层(117)，其为蓝光激光束提供高折射率。