公开(公告)号：CN100555638C

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200410074831.X

申请日：2004-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 后藤觉 ,  长野能久

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/82

Abstract: 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。

公开(公告)号：CN1591876A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN200410074831.X

申请日：2004-08-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 后藤觉 ,  长野能久

IPC: H01L27/108

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/65 ,  H01L28/82

Abstract: 一种半导体装置，电容元件(15)具有：表面形成凹部(11a)的基底绝缘层(11)，在基底绝缘层(11)上沿着凹部(11a)的内壁形成的下部电极(12)，在该下部电极(12)上形成的、由高电介体或铁电体构成的电容绝缘膜(13)，在该电容绝缘膜(13)上形成的上部电极(14)。将基底绝缘层(11)的凹部(11a)中的壁面的上端部及该凹部(11a)中的底面的拐角部弄成圆形。能够防止起因于对具有立体形状的电容元件进行热处理时的电极的断线。