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公开(公告)号：CN110532587B
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN201910623721.0
申请日：2019-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江大邦科技有限公司
IPC: G06F30/367 , H02M3/335
Abstract: 本发明公开了一种双重移相调制下双有源全桥变换器大信号建模方法，针对双重移相调制的DAB变换器，建立了变换器的精确离散迭代模型，然后基于离散域内的状态转移函数并利用Baker‑Campbell‑Hausdorff定理，得出大信号等效电路的状态矩阵和输入矩阵，构建了变换器的大信号等效电路模型。本发明克服了传统离散迭代模型的缺陷，同时将数学模型和电路模型进行了统一，直观的反映系统各变量的耦合关系和控制‑输出传递函数，为双有源全桥(DAB)变换器在控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN108900089B
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201810694835.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提供了一种应用于电压传输比大于1的DAB全功率软开关控制方法，通过数字控制器调整PWM输出，来控制对应开关器件。理论计算时，PWM输出主要是调整高频变压器原副边H桥之间的外移相比D0、原边全桥内移相比D1、副边全桥内移相比D2三个移相控制量，使得双有源全桥直流变换器能在电压传输比大于1的全功率范围内实现电流优化下的软开关。扩宽了软开关范围的同时减小了变换器的功率损耗，提高了变换器整体效率，且无需改变变换器的电路结构，易于实现，适用性广，可应用于高频隔离开关电源。
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公开(公告)号：CN109815526B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN201811495019.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G06F30/367
Abstract: 本发明公开了一种Boost型变换器大信号建模方法；本发明增加了建模时的约束条件，提出了基于状态矩阵和输入矩阵共同约束的大信号建模方法，适用于采用不同调制方式的Boost型变换器的大信号建模。本发明使得Boost电路大信号模型更加准确，且不受调制方式的限制，以方便后续等效电路推导。
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公开(公告)号：CN111555596A
公开(公告)日：2020-08-18
申请号：CN202010345988.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n-mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n-mos管的漏极与第二n-mos管的漏极连接，第一n-mos管和第二n-mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n-mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110532587A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910623721.0
申请日：2019-07-11
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江大邦科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种双重移相调制下双有源全桥变换器大信号建模方法，针对双重移相调制的DAB变换器，建立了变换器的精确离散迭代模型，然后基于离散域内的状态转移函数并利用Baker-Campbell-Hausdorff定理，得出大信号等效电路的状态矩阵和输入矩阵，构建了变换器的大信号等效电路模型。本发明克服了传统离散迭代模型的缺陷，同时将数学模型和电路模型进行了统一，直观的反映系统各变量的耦合关系和控制-输出传递函数，为双有源全桥(DAB)变换器在控制和稳定性分析等相关研究工作提供了新的思路。
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公开(公告)号：CN108900089A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810694835.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明提供了一种应用于电压传输比大于1的DAB全功率软开关控制方法，通过数字控制器调整PWM输出，来控制对应开关器件。理论计算时，PWM输出主要是调整高频变压器原副边H桥之间的外移相比D0、原边全桥内移相比D1、副边全桥内移相比D2三个移相控制量，使得双有源全桥直流变换器能在电压传输比大于1的全功率范围内实现电流优化下的软开关。扩宽了软开关范围的同时减小了变换器的功率损耗，提高了变换器整体效率，且无需改变变换器的电路结构，易于实现，适用性广，可应用于高频隔离开关电源。
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公开(公告)号：CN111555596B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN202010345988.0
申请日：2020-04-27
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有可调负压的SiC MOSFET栅极串扰抑制驱动电路，第一电容与第一稳压管并联后的前端与前级的图腾柱信号放大电路T1，T2输出端连接，第一电容与第一稳压管的后端与第一二极管的正极、第二电阻、第三电阻的前端和第一n‑mos管的源极连接，第一二极管的负极通过第二电容、第一电阻的并联电路与接地端、第四电阻的后端连接，第二电阻的后端与第二二极管的负极连接，第一n‑mos管的漏极与第二n‑mos管的漏极连接，第一n‑mos管和第二n‑mos管的栅极通过第四电阻与接地端连接，第二二极管的正极、第三电阻的后端、第二n‑mos管的源极与第五电阻的前端、SiC MOSFET的栅极连接，第五电阻的后端与接地端连接。
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