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公开(公告)号：CN117374087A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202210757387.X
申请日：2022-06-30
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L27/146 , G01J11/00
Abstract: 本申请提供一种光电探测器及单光子探测系统，涉及光电探测器领域，能够实现减小单光子雪崩二极管的尺寸的同时提高单光子雪崩二极管的光子探测效率和提高单光子雪崩二极管的响应速度的稳定性，提高光电探测器的性能。光电探测器包括衬底和第一沟槽隔离结构。衬底包括多个单光子雪崩二极管。第一沟槽隔离结构设置于衬底内，且设置于相邻两个单光子雪崩二极管之间，被配置为将任意两个相邻的单光子雪崩二极管隔开。第一沟槽隔离结构包括导电部和绝缘部，导电部被配置为传输负偏压信号。绝缘部设置于导电部与衬底之间。本申请提供的光电探测器及单光子探测系统用于测距。
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公开(公告)号：CN115064601B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202210770504.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H10F77/14 , H10F77/12 , H10F30/225 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供一种光电器件及其制造方法。所述光电器件包括衬底、重掺杂区、量子点薄膜及透明导电膜层。所述衬底具有相对的第一表面和第二表面。所述重掺杂区设于所述衬底中并自所述衬底的第一表面外露，所述重掺杂区的材料为第一导电类型材料。所述量子点薄膜设于所述衬底的第二表面，所述量子点薄膜的材料为第二导电类型材料。所述透明导电膜层，设于所述量子点薄膜背离所述衬底的一侧。上述光电器件在衬底的第二表面设置量子点薄膜，使得量子点薄膜与重掺杂区之间形成异质结，基于量子点薄膜可设置为能吸收更大波长的光，使得该设置量子点薄膜的光电器件能够探测更大波长范围的光，提高光电器件的探测效果。
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公开(公告)号：CN119008759A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202310574885.5
申请日：2023-05-18
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0224
Abstract: 本公开的一些实施例公开了一种单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置，涉及图像传感器技术领域，该单光子雪崩二极管具有位置灵敏功能，有效提升了分辨率，能准确判定光子入射位置。该单光子雪崩二极管包括半导体晶片、第一电极、多个第二电极。半导体晶片包括主体部、第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部的远离第二掺杂部的表面形成第一表面；第一掺杂部和第二掺杂部形成PN结；多个第二电极和第一电极中的一者与第一掺杂部接触，另一者与主体部接触；任意两个第二电极呈间隔设置；每个第二电极与一个读出电路电连接。本公开的一些实施例提供的一种单光子雪崩二极管、光电探测器及检测装置用于三维成像装置。
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公开(公告)号：CN118867030A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310492624.9
申请日：2023-04-28
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种单光子雪崩二极管，包括：衬底；外延层，外延层形成于衬底的上表面；第一杂质区域，第一杂质区域形成于外延层的上表面；第二杂质区域，第二杂质区域形成于第一杂质区域的上表面；第一接触区域，第一接触区域形成于外延层，且对应于第二杂质区域的中心，第一接触区域形成为具有第一导电类型的第一电极，且浓度高于外延层；和第二环形区域，第二环形区域形成于第二杂质区域的边缘，第二环形区域形成为具有第二导电类型的第二电极，且浓度高于第二杂质区域；其中，第二环形区域与第一杂质区域接触并形成击穿，以在第二环形区域的边缘形成雪崩区，偏置电压加载于第一电极和第二电极，外延层产生的光生电子漂移至雪崩区以触发雪崩。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118867029A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310475062.7
申请日：2023-04-27
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种单光子雪崩二极管及其制作方法和光电探测器，通过设置隔离区将第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区均划分成电性隔离的预设等份，并设置第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区的层次结构，利用边缘击穿来提高探测效率，获得依靠边缘击穿工作的SPAD，在不缩小SPAD整体尺寸情况下，提升SPAD阵列芯片成像分辨率，并保证探测效率。
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公开(公告)号：CN118867012A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310489279.3
申请日：2023-04-27
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/0224 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管和探测器，其中，雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底，具有第二掺杂类型的第一电极，具有第一掺杂类型的第二电极，以及具有第一掺杂类型的第一半导体区，所述衬底形成有相对的第一表面和第二表面；所述第一电极由第一表面延伸至所述衬底中设置；所述第二电极由第一表面延伸至衬底中设置，并与所述第一电极间隔设置；所述第一半导体区为倒掺杂结构，所述第一半导体区由所述第一表面延伸至所述衬底中设置，在垂直于第一表面至第二表面的方向上，所述第一半导体区的内侧与所述第一电极抵接，并与所述第一电极形成主结。本发明技术方案的雪崩二极管为完全边缘击穿类型，提高探测效率的同时有利于小型化。
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公开(公告)号：CN118867011A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310489192.6
申请日：2023-04-27
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L27/144
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管、光电二极管器件和探测器，雪崩二极管包括具有第一掺杂类型的衬底、第三半导体区以及第四半导体区，具有第二掺杂类型的第一半导体区和第二半导体区，第一半导体区由衬底的第一表面向第二表面延伸设置；第二半导体区由第一表面向第二表面延伸设置，并包裹于第一半导体区的周缘；第三半导体区由第二半导体区背离第一表面的一侧向第二表面延伸设置，第三半导体区与第一半导体区在第一表面至第二表面的方向上至少部分重叠；第四半导体区与第二半导体区在平行于第一表面的方向具有间隔，第四半导体区以第一半导体区的中垂线为轴对称设置。本发明技术方案的雪崩二极管可减少边缘击穿并提高探测效率。
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公开(公告)号：CN117334757A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202210743017.0
申请日：2022-06-27
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/102 , G01J1/44
Abstract: 本申请提供一种光电探测器，所述光电探测器包括金属硅化物层，所述金属硅化物层包括金属硅化物区域和多个第一金属硅化物阻挡区域，所述金属硅化物区域用于放置金属硅化物，所述第一金属硅化物阻挡区域用于放置目标物质，所述目标物质的透光性优于所述金属硅化物的透光性；所述多个第一金属硅化物阻挡区域对称分布在所述金属硅化物区域的周围区域。通过本申请的技术方案，通过设置多个金属硅化物阻挡区域，且多个金属硅化物阻挡区域对称分布在金属硅化物区域的周围区域，使得每个金属硅化物阻挡区域的电场一致性比较好，即中心区与边缘区的电场一致性比较好，避免影响电场分布的均匀性，也不影响电场的分布，从而避免影响光电探测器的特性。
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公开(公告)号：CN115064601A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210770504.6
申请日：2022-06-30
Applicant: 杭州海康威视数字技术股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0336 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种光电器件及其制造方法。所述光电器件包括衬底、重掺杂区、量子点薄膜及透明导电膜层。所述衬底具有相对的第一表面和第二表面。所述重掺杂区设于所述衬底中并自所述衬底的第一表面外露，所述重掺杂区的材料为第一导电类型材料。所述量子点薄膜设于所述衬底的第二表面，所述量子点薄膜的材料为第二导电类型材料。所述透明导电膜层，设于所述量子点薄膜背离所述衬底的一侧。上述光电器件在衬底的第二表面设置量子点薄膜，使得量子点薄膜与重掺杂区之间形成异质结，基于量子点薄膜可设置为能吸收更大波长的光，使得该设置量子点薄膜的光电器件能够探测更大波长范围的光，提高光电器件的探测效果。
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