公开(公告)号：CN114496724A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111324659.9

申请日：2021-11-10

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介

IPC: H01L21/02 ,  C30B25/14 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及SiC外延晶片及其制造方法。本发明的目的在于提供高浓度层的n型掺杂浓度的面内均匀性高的SiC外延晶片。本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和设在所述SiC单晶基板上的高浓度层，所述高浓度层的n型掺杂浓度的平均值为1×1018/cm3以上且1×1019/cm3以下，并且掺杂浓度的面内均匀性的值为30％以下。

公开(公告)号：CN110637109A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN108475635A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

CPC classification number: C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。

公开(公告)号：CN109314048A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201780038036.0

申请日：2017-06-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  坂东章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  C30B29/36

Abstract: 该气体配管系统是向在内部进行气相生长的反应炉供给多种气体的运行放气方式的气体配管系统，其具备：将上述多种气体分别送入的多条供给管线，从上述反应炉的排气口向排气泵连接的排气管线，具备从上述多条供给管线分别分支、并向上述反应炉供给上述多种气体的1个或多个配管的运行管线，从上述多条供给管线分别分支、并与上述排气管线连接的多条放气管线，以及分别设置在上述多条供给管线的分支点、并将向运行管线侧流通气体或向放气管线侧流通气体进行切换的多个阀；上述多条放气管线被分离直到达到上述排气管线，上述排气管线的内径大于上述多条放气管线各自的内径。

公开(公告)号：CN108475635B

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN201680071748.8

申请日：2016-12-12

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 余佳 ,  石桥直人 ,  深田启介 ,  歌代智也 ,  渥美广范

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/44 ,  C23C16/458 ,  C30B25/12 ,  H01L21/205 ,  H01L21/683

Abstract: 一种晶片支承机构，具备：晶片支承台；和由所述晶片支承台支承的可动部，所述晶片支承台具有运送用晶片支承部，所述运送用晶片支承部从所述晶片支承台的与所载置的晶片的背面对向的第1面立起，且设置在比所载置的晶片的外周端靠内侧的位置，所述可动部具有成膜用晶片支承部，且能够在所述运送用晶片支承部的立起方向上相对于所述晶片支承台相对地移动，所述成膜用晶片支承部位于比所述运送用晶片支承部靠所载置的晶片的外周侧的位置。

公开(公告)号：CN110637109B

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN201880032744.8

申请日：2018-04-19

Applicant: 昭和电工株式会社 ,  一般财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  坂东章 ,  伊藤雅彦 ,  镰田功穗 ,  土田秀一 ,  原一都 ,  内藤正美 ,  上东秀幸 ,  藤林裕明 ,  青木宏文 ,  杉浦利和 ,  铃木克己

IPC: H01L21/20 ,  C30B29/36 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205 ,  C23C16/42

Abstract: 本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。

公开(公告)号：CN109786211A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811266635.0

申请日：2018-10-29

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明的SiC外延晶片具备SiC单晶基板和位于所述SiC单晶基板的一面侧的载流子浓度变动层，所述载流子浓度变动层是高浓度层和低浓度层交替地层叠多层而成的，所述高浓度层的载流子浓度比相邻的层高，所述低浓度层的载流子浓度比相邻的层低。

公开(公告)号：CN109778144B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201811323045.7

申请日：2018-11-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  梅田喜一 ,  儿玉友弘

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/02

Abstract: 一种化学气相沉积装置，具备在内部进行气相生长的反应炉和从所述反应炉排出气体的排气配管，所述排气配管具有至少1个弯曲部，在所述弯曲部具备从所述弯曲部向不同的方向延伸出且在内部具有堆积物的存积空间的至少1个配管延长部。

公开(公告)号：CN110520966A

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201880025453.6

申请日：2018-05-09

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 深田启介 ,  石桥直人 ,  渥美广范

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/44

Abstract: 本发明一方案的成膜装置，具备：成膜室即成膜空间；成膜处理前室；向成膜空间供给原料的原料供给口；用于对晶片的温度进行测定的开口部，所述晶片载置于在所述成膜空间内配置的载置台的晶片载置面上；以及将所述成膜空间与成膜处理前室进行间隔的间隔板，所述原料供给口位于与所述间隔板同一面、或比所述间隔板靠所述成膜空间侧的位置，所述开口部位于比所述间隔板靠所述成膜处理前室侧的位置。

公开(公告)号：CN109937468A

公开(公告)日：2019-06-25

申请号：CN201780070214.8

申请日：2017-12-11

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 石桥直人 ,  深田启介 ,  坂东章

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36 ,  H01L21/20

Abstract: 提供一种p型SiC外延晶片的制造方法，具有设定原料气体中的C元素与Si元素的比率即投入原料C/Si比的工序；以及在上述原料气体、分子内包含Cl的Cl系气体以及分子内包含Al和C的掺杂剂气体存在的成膜气氛下在基板上形成p型SiC外延膜而得到Al掺杂剂浓度为1×1018cm-3以上的p型SiC外延晶片的工序，上述投入原料C/Si比基于包含上述掺杂剂气体所含的C元素的成膜气氛中的C元素与Si元素的比率即总气体C/Si比来设定，上述投入原料C/Si比与上述总气体C/Si比不同，上述投入原料C/Si比为0.8以下。