公开(公告)号：CN103692105A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：CN201310063995.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 木山朋纪 ,  田中轨人 ,  柏木利典 ,  白鸟刚

IPC: B23K35/24 ,  H01L21/48 ,  H01L23/492

CPC classification number: B23K35/24 ,  H01L21/4814 ,  H01L23/4924

Abstract: 本发明提供一种焊料糊剂、半导体装置及其制造方法。提供一种糊剂材料，其不使用需要镀覆浴的复杂的电解镀工艺，通过在金属面上对含有Ni合金颗粒的焊料糊剂进行热处理，就在该金属面上形成连续且均匀厚度的焊料层。前述焊料糊剂，其为包含以下成分的焊料糊剂：(1)作为低熔点金属颗粒的Sn颗粒或者Sn合金颗粒，该Sn合金颗粒含有Sn和选自由Ag、Bi、Cu、Ge、In、Sb、Ni、Zn及Au组成的组中的至少一种金属、并且具有低于240℃的熔点；(2)作为高熔点金属颗粒的Ni合金颗粒，其含有Ni和Sn、并且具有240℃以上的熔点；和(3)助熔糊，相对于100质量份的该(1)低熔点金属颗粒，该焊料糊剂含有15质量份～42质量份的该(2)高熔点金属颗粒。

公开(公告)号：CN102317031A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201080007347.9

申请日：2010-02-24

Applicant: 旭化成电子材料株式会社

Inventor： 木山朋纪 ,  田中轨人

IPC: B23K35/22 ,  B23K35/26 ,  B23K35/30 ,  C22C9/02 ,  C22C12/00 ,  H05K3/34

CPC classification number: C22C9/02 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/262 ,  B23K35/264 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  C22C12/00 ,  H05K3/3484 ,  H05K2201/0272

Abstract: 本发明提供一种金属填料，其是由第1金属颗粒和第2金属颗粒的混合体构成的金属填料，该第1金属颗粒是含有Cu作为以最高的质量比例存在的元素即主要成分、并且还含有In及Sn的Cu合金颗粒，该第2金属颗粒是由40～70质量％的Bi、以及30～60质量％的选自Ag、Cu、In及Sn中的1种以上金属组成的Bi合金颗粒，并且，相对于100质量份该第1金属颗粒，该第2金属颗粒的量为40～300质量份的范围。本发明还提供包含该金属填料的无铅焊料、使用该无铅焊料而形成的连接结构体、及具有该连接结构体的部件搭载基板。