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公开(公告)号：CN107683406B
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN201680034237.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。
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公开(公告)号：CN109154531B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201780022928.1
申请日：2017-04-13
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105849521B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201480071072.3
申请日：2014-11-12
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明提供了即使是由热膨胀率大的金属形成的隔膜也能够将应变检测元件稳定地接合的压力测定装置。为了解决上述问题，本发明的压力测定装置包括：金属框体，其具有压力导入部和由于从该压力导入部导入的压力而发生变形的隔膜；以及应变检测元件，其检测发生在所述隔膜的应变，所述压力测定装置的特征在于，在所述金属框体上，具有由第一脆性材料形成的基台，所述应变检测元件通过相比于所述基台为低熔点的第二脆性材料，被接合于所述基台。
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公开(公告)号：CN103026806A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201180036154.0
申请日：2011-07-20
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: H05K3/46
CPC classification number: H05K13/00 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K3/4629 , H05K2201/068 , H05K2201/09681
Abstract: 一种低价且可靠性高的陶瓷基板，在设为多层构造时，作为从电介质材料中去除了铅的材料而实现环保。这种多层陶瓷基板的特征在于：在形成有：烧结了的陶瓷基体（2）、形成于陶瓷基体的表面的由导电性金属的导体浆构成的第一电路布线图案（3）、形成于第一电路布线图案的表层的由电介质构成的绝缘层（8）、形成有在绝缘层的表层搭载第二电路布线图案和电路搭载部件的岛的导体图案和电阻器（4），并且以保护膜（5）覆盖搭载电路搭载部件的岛部分以外，以导电性粘接剂连接电子电路部件（7）的陶瓷基板中，电介质由以容积混匀氧化铝粉末和玻璃粉末的低温烧制陶瓷基板的生片（11）构成（参照图5）。
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公开(公告)号：CN109154531A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201780022928.1
申请日：2017-04-13
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第二接合层(22)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第一接合层(21)的软化点为第二接合层(22)的软化点以下。
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公开(公告)号：CN107683406A
公开(公告)日：2018-02-09
申请号：CN201680034237.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 日立汽车系统株式会社
Abstract: 本发明的半导体器件包括金属体、配置在金属体上的接合层和配置在接合层上的半导体芯片，接合层包括在金属体与半导体芯片之间形成的包含填料的第一层，和与第一层和半导体芯片接合的、热膨胀率大于第一层的第二层。
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公开(公告)号：CN105849521A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201480071072.3
申请日：2014-11-12
Applicant: 日立汽车系统株式会社
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明提供了即使是由热膨胀率大的金属形成的隔膜也能够将应变检测元件稳定地接合的压力测定装置。为了解决上述问题，本发明的压力测定装置包括：金属框体，其具有压力导入部和由于从该压力导入部导入的压力而发生变形的隔膜；以及应变检测元件，其检测发生在所述隔膜的应变，所述压力测定装置的特征在于，在所述金属框体上，具有由第一脆性材料形成的基台，所述应变检测元件通过相比于所述基台为低熔点的第二脆性材料，被接合于所述基台。
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