公开(公告)号：CN109154531A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201780022928.1

申请日：2017-04-13

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 青柳拓也 ,  内藤孝 ,  三宅龙也 ,  芝田瑞纪 ,  小贯洋 ,  寺田大介 ,  小松成亘

IPC: G01L9/00 ,  G01D21/00 ,  H01L29/84

Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第二接合层(22)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第一接合层(21)的软化点为第二接合层(22)的软化点以下。

公开(公告)号：CN109154531B

公开(公告)日：2020-09-29

申请号：CN201780022928.1

申请日：2017-04-13

Applicant: 日立汽车系统株式会社

Inventor： 青柳拓也 ,  内藤孝 ,  三宅龙也 ,  芝田瑞纪 ,  小贯洋 ,  寺田大介 ,  小松成亘

IPC: G01L9/00 ,  G01D21/00 ,  H01L29/84

Abstract: 提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。