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公开(公告)号：CN1386039A
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN02119711.3
申请日：2002-05-10
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L51/0545 , G09G3/3216 , G09G3/3225 , G09G3/3233 , G09G2300/0842 , H01L27/3244 , H01L51/52 , H01L51/5203 , H01L51/5221
Abstract: 本发明的发光体包括阳极和阴极,阴极至少部分面对阳极,并且有发光材料层介于其间。辅助电极通过绝缘层形成于发光体的一个面上,发光体的这个面与阳极通过发光材料层面向阴极的面相对。阴极可以由腐蚀较小的材料制成。由此发光体便延长了发光器件的寿命,也由此延长了发光显示器的寿命。
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公开(公告)号：CN1096690C
公开(公告)日：2002-12-18
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及磁致电阻材料及其膜。该材料是非磁性基质和分散在非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁致电阻效应的退化，使用含有Pt和至少一种选自Cu、Ag、和Au中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。非磁性基质可任选地含有限量的选自Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir的辅助元素。磁致电阻材料膜可在基体上成膜，并可任选地在膜和基体间插入缓冲膜和/或用保护层覆盖该膜。
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公开(公告)号：CN1121250A
公开(公告)日：1996-04-24
申请号：CN95109128.X
申请日：1995-07-01
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: H01F1/01
CPC classification number: B82Y25/00 , G11B5/3903 , H01F10/007 , H01L43/10 , Y10S428/928 , Y10T428/1107 , Y10T428/12014 , Y10T428/12028 , Y10T428/12063 , Y10T428/12465
Abstract: 本发明涉及一种磁阻性材料，即具有磁阻性的导电材料，该材料是由非磁性基质和分散在所述非磁性基质内的铁磁性材料如Co或Ni-Fe-Co的超细粒子组成的非均匀体系。为了减轻磁阻性效应的退化，使用至少两种选自Cu、Ag、Au和Pt中的金属元素的合金或混合物作为非磁性基质的材料。可选择地是，非磁性基质可含有限量的选自于Al、Cr、In、Mn、Mo、Nb、Pd、Ta、Ti、W、V、Zr和Ir中的辅助元素。磁阻性材料膜可在基体上成膜，并可任选地在所述膜和基体间插入缓冲膜和或所述膜为保护层所覆盖。
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公开(公告)号：CN1356581A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01139621.0
申请日：2001-11-26
Applicant: 日本电气株式会社
IPC: G02F1/1335 , G02B5/09 , H05B33/00
CPC classification number: G02B6/0038 , G02B6/0046 , G02B6/005 , G02B6/0055 , G02F2001/133616
Abstract: 发光器件(110)包括(a)作为光源的电致发光器件(100),和(b)将从电致发光器件(100)发出的光引入液晶显示装置的导光体(112)。电致发光器件(100)在导光体(112)的端面上形成。该发光器件可以用作在液晶显示装置中的背光光源。
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公开(公告)号：CN1308316A
公开(公告)日：2001-08-15
申请号：CN00128231.X
申请日：2000-12-13
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 林一彦
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种磁致电阻效应磁头,其中在衬底上形成下电极兼磁屏蔽层,在其上提供磁间隙调整层,在磁间隙调整层上提供磁致电阻效应元件(MR元件),并在该MR元件上提供上电极兼磁屏蔽层。在MR元件的两侧提供一对垂直偏置层。在MR元件中,从磁间隙调整层侧依次提供下层、自由磁性层、非磁性层、被固定磁性层和固定层。通过在下电极兼磁屏蔽层和自由磁性层之间提供磁间隙调整层,使自由磁性层充分地与下电极兼磁屏蔽层分开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1491526A
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN02804577.7
申请日：2002-02-04
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H01L33/08 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L51/5225 , H01L51/5253 , H01L2251/5315
Abstract: 一种发光元件，在基板上形成下电极图形，在下电极图形上形成发光层图形，在发光层图形上形成透明电极，对于具有有机薄膜通过外加电流而发光的结构的发光体，透明电极的图形比下电极的图形大。而且，在下电极图形的全部区域上形成透明电极的图形。透明电极的图形比发光层的图形大。在发光层图形的全部区域上形成透明电极的图形。
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公开(公告)号：CN1161577A
公开(公告)日：1997-10-08
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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公开(公告)号：CN1183517C
公开(公告)日：2005-01-05
申请号：CN00128231.X
申请日：2000-12-13
Applicant: 日本电气株式会社
Inventor： 林一彦
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B2005/3996
Abstract: 提供一种磁致电阻效应磁头，其中在衬底上形成下电极兼磁屏蔽层，在其上提供磁间隙调整层，在磁间隙调整层上提供磁致电阻效应元件(MR元件)，并在该MR元件上提供上电极兼磁屏蔽层。在MR元件的两侧提供一对垂直偏置层。在MR元件中，从磁间隙调整层侧依次提供下层、自由磁性层、非磁性层、被固定磁性层和固定层。通过在下电极兼磁屏蔽层和自由磁性层之间提供磁间隙调整层，使自由磁性层充分地与下电极兼磁屏蔽层分开。
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公开(公告)号：CN1411163A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02144336.X
申请日：2002-10-09
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 本发明的目的是提供一种在用于光通信的发光装置中，使通信速度高速化的发光装置以及具有该发光装置的通信系统，以及提供一种不费工夫就能改写记录在设置于识别对象物上的信息识别单元(存储单元)中的信息的通信系统。本发明的发光装置，具有能发送由根据输入的数据进行调制的光构成的信号光的发光体120，其特征在于，上述发光体120是场致发光元件。此外，其特征在于，上述发光体120随期间的不同，发射由未被调制的光构成的非信号光和上述信号光，上述非信号光实现照明功能。此外，其特征在于，上述信号光还实现照明功能。
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公开(公告)号：CN1088917C
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN96109802.3
申请日：1996-09-16
Applicant: 日本电气株式会社
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/3116 , G11B5/3903 , G11B5/3932 , G11B2005/3996
Abstract: 一磁致电阻元件通常包括：依次相连的一抗铁磁性层、一第一铁磁性层、一非磁性层和一第二铁磁性层。代替非磁性层，磁致电阻元件可以包括一钴层、一非磁性层和一钴层的组合层。抗铁磁性层是由镍氧化物、镍氧化物和钴氧化物的混合物、或镍氧化物和钴氧化物的叠片制作的。铁磁性层有1-10毫微米厚，元件有0.1-1微米高。非磁性层有2-3毫微米厚，抗铁磁性层有5-30毫微米厚。磁致电阻元件有一适当的交叉点，输出很好的再现信号，并有对应于输出信号的所要求的半波长。
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