公开(公告)号：CN101419913A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175139.4

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN102742015A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201180007980.2

申请日：2011-02-01

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 竹知和重 ,  中田充

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/363 ,  H01L21/368

CPC classification number: C23C14/086 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管，其将无定形氧化物薄膜用于有源层，其中：所述无定形氧化物薄膜包含如下作为主要成分：铟(In)、氧(O)和金属元素(M)，其选自硅(Si)、铝(Al)、锗(Ge)、钽(Ta)、镁(Mg)和钛(Ti)；在该无定形氧化物薄膜中M对In的原子比为0.1以上且0.4以下；且在所述无定形氧化物薄膜中载流子密度为1×1015cm-3以上且1×1019cm-3以下。

公开(公告)号：CN101123183A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710142475.4

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06

Abstract: 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN101419913B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810175139.4

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN101123184A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710142476.9

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  B23K26/06

Abstract: 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN101123183B

公开(公告)日：2012-02-01

申请号：CN200710142475.4

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  B23K26/06

Abstract: 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN101740635A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910222829.5

申请日：2009-11-19

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充 ,  竹知和重

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/428

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供一种薄膜器件及其制造方法。以优良的再生性和良率，在廉价的玻璃基板或轻质且具有柔性的诸如PET的树脂基板上形成具有优良特性的氧化物半导体TFT，该TFT可以用作显示器的驱动元件。通过向氧化物半导体照射脉冲光，可以在玻璃基板或诸如PET的树脂基板上形成质量优良的氧化物半导体膜。这使得可以以优良的再生性和良率制造出具有优良特性的薄膜器件。

公开(公告)号：CN100485868C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200510056200.X

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/66757 ,  Y10S117/904 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。

公开(公告)号：CN1677618A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510056200.X

申请日：2005-03-31

Applicant: 日本电气株式会社

Inventor： 中田充

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L29/66757 ,  Y10S117/904 ,  Y10S438/942

Abstract: 提供一种半导体薄膜的制造方法，其能够减少半导体薄膜中的晶粒边界的数量并还能够控制晶粒边界的方向。如图6(1)中所示，当第一光束辐射到非晶硅上时，放射状地形成具有位于中心的凹形的顶端的温度梯度。从而，如图6(2)中所示，在凹形顶端中形成不仅是在光束宽度方向上而且是在光束长度方向上生长的晶粒。在第二光束等之后，利用在凹形顶端中所形成的晶粒作为籽晶重复生长。结果，与常规窄线光束的情况相比，用位于起点的凹形的顶端形成有更宽宽度的条状晶粒。此外，通过设定凹形图案的周期在垂直于光束扫描方向的方向上等于或小于晶粒直径，能够形成连续成直线排列的条状晶粒。