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公开(公告)号：CN101625985B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200810133407.6
申请日：2008-07-09
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供一硅质基材；蚀刻硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，环形孔环绕硅质柱状体；设置感光材料于环形孔内，其中感光材料具有绝缘性；移除硅质柱状体，以使环形孔形成圆形孔，且感光材料设置于圆形孔的孔壁；以及设置导电材料于圆形孔内，导电材料的外侧表面被感光材料环绕。
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公开(公告)号：CN101211791A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610063630.9
申请日：2006-12-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
CPC分类号： H01L24/94 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 一种晶圆级芯片封装制程，包括下述步骤。首先，提供一个晶圆，晶圆内含多个芯片单元，且晶圆具有一个主动表面以及相对的一个背面，每一芯片单元在主动表面上具有若干个接垫。接着，在这些接垫下方形成若干个贯孔。接着，在这些贯孔内填入导电性材料与相对应的这些接垫电性连接，且导电性材料曝露并凸出于晶圆的背面。再者，在主动表面上形成一层透明黏着层。再来，在透明黏着层上配置一个透明盖板，以通过透明黏着层接合透明盖板与晶圆。然后，进行一单体化步骤，以分离这些芯片单元与其所对应的透明盖板，而形成多个独立的芯片封装结构。
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公开(公告)号：CN101211791B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610063630.9
申请日：2006-12-27
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
CPC分类号： H01L24/94 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 一种晶圆级芯片封装制程，包括下述步骤。首先，提供一个晶圆，晶圆内含多个芯片单元，且晶圆具有一个主动表面以及相对的一个背面，每一芯片单元在主动表面上具有若干个接垫。接着，在这些接垫下方形成若干个贯孔。接着，在这些贯孔内填入导电性材料与相对应的这些接垫电性连接，且导电性材料曝露并凸出于晶圆的背面。再者，在主动表面上形成一层透明黏着层。再来，在透明黏着层上配置一个透明盖板，以通过透明黏着层接合透明盖板与晶圆。然后，进行一单体化步骤，以分离这些芯片单元与其所对应的透明盖板，而形成多个独立的芯片封装结构。
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公开(公告)号：CN101226887A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810074318.9
申请日：2008-02-15
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/78 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶片切割方法，应用于双片晶片接合的封装结构，该晶片切割方法包括：提供第一晶片，具有上表面及下表面；择定第一预设距离，并以该第一预设距离利用刀具去除该第一晶片的第一斜面；提供第二晶片，第二晶片具有有源面及背面；覆盖且接合第一晶片于第二晶片之上，使第二晶片上的多个对位点显露于外；以及通过第二晶片上外露的对位点，做为对位以利用刀具分别切割第一晶片及第二晶片，以形成系统级封装构造。
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公开(公告)号：CN101226887B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200810074318.9
申请日：2008-02-15
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/78 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶片切割方法，应用于双片晶片接合的封装结构，该晶片切割方法包括：提供第一晶片，具有上表面及下表面；择定第一预设距离，并以该第一预设距离利用刀具去除该第一晶片的第一斜面；提供第二晶片，第二晶片具有有源面及背面；覆盖且接合第一晶片于第二晶片之上，使第二晶片上的多个对位点显露于外；以及通过第二晶片上外露的对位点，做为对位以利用刀具分别切割第一晶片及第二晶片，以形成系统级封装构造。
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公开(公告)号：CN1994713B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610002550.2
申请日：2006-01-06
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶粒分离装置及其分离晶粒的方法，该方法首先是将晶圆粘合在粘性体上，接着将粘性体配置于框架。然后，利用治具夹持框架，以固定晶圆。其后，转动一滚轮在粘性体上滚动，通过滚轮对晶圆上的数个刀痕施加作用力，使得晶圆分离为数个晶粒。由于滚轮可平均地对晶圆施加作用力，且容易控制施力方向，可使分离后的晶粒边缘平整，有效提高晶粒的良率。
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公开(公告)号：CN1994713A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610002550.2
申请日：2006-01-06
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
IPC分类号： B28D5/00 , H01L21/304
摘要： 本发明公开了一种晶粒分离装置及其分离晶粒的方法，该方法首先是将晶圆粘合在粘性体上，接着将粘性体配置于框架。然后，利用治具夹持框架，以固定晶圆。其后，转动一滚轮在粘性体上滚动，通过滚轮对晶圆上的数个刀痕施加作用力，使得晶圆分离为数个晶粒。由于滚轮可平均地对晶圆施加作用力，且容易控制施力方向，可使分离后的晶粒边缘平整，有效提高晶粒的良率。
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公开(公告)号：CN1994712A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610002549.X
申请日：2006-01-06
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
发明人： 陈建宇
摘要： 本发明公开了一种晶圆及其切割方法，首先，提供第一基板及第二基板，接着，在第二基板的背面形成数个校准记号，以形成两参考坐标轴。然后，配对组合第一基板及第二基板而成为晶圆，第二基板的正面是与第一基板的下表面配对组合。之后，切割第一基板以形成数个第一刀痕，再依据两参考坐标轴切割第二基板，以形成与第一刀痕相对的数个第二刀痕。由于校准记号形成的参考坐标轴代替了传统整体切割第一基板及第二基板而形成的参考坐标轴，因此，本发明的晶圆及其切割方法简化了切割晶圆的流程，缩短了切割的时间，并减少刀具的耗损。
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公开(公告)号：CN101625985A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810133407.6
申请日：2008-07-09
申请人： 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/522
CPC分类号： H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构的制造方法包括：提供一硅质基材；蚀刻硅质基材，以形成环形孔及硅质柱状体，环形孔环绕硅质柱状体；设置感光材料于环形孔内，其中感光材料具有绝缘性；移除硅质柱状体，以使环形孔形成圆形孔，且感光材料设置于圆形孔的孔壁；以及设置导电材料于圆形孔内，导电材料的外侧表面被感光材料环绕。
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