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发明公开
一种痛觉神经形态器件及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN118251118A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410372618.4

申请日：2024-03-29

Applicant: 无锡学院

Inventor： 苏琳琳 , 刘逸龙 , 李欣蔚 , 杨成东

IPC: H10N70/20 , H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种痛觉神经形态器件及其制备方法，所述器件包括SiO2/Si衬底，所述SiO2/Si衬底上生长有Si3N4层作为电子隧穿层，所述Si3N4层上制备有二维有机半导体层，所述二维有机半导体层上构建有两片金属电极。本发明采用全新的机制，将Si3N4作为电子隧穿层插入到半导体/SiO2界面中，通过电子隧穿机制来控制电子到达SiO2界面被捕获的过程，在低强度的脉冲刺激下，实现低阈值突触行为，随着脉冲强度的增加或者脉冲数量的持续，Si3N4会发生隧穿模式的转变，从而实现高阈值突触行为，利用这种方式来模拟特定阈值以上的痛觉感受器，进而灵活简便地调控痛觉神经形态器件的痛觉程度。

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