公开(公告)号：CN108957941B

公开(公告)日：2022-06-03

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。

公开(公告)号：CN108957942A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810479390.3

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  金昌俊 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/32 ,  G03F1/0076 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/60 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明公开了一种相移空白掩膜和相移光掩膜，其包括位于透明衬底上的由硅(Si)或硅(Si)化合物制成并具有高透射率特性的相移膜。在根据本公开的相移空白掩膜中，相移膜具有50％以上的高透射率，由此获得小于或等于32nm、优选小于或等于14nm、更优选小于或等于10nm的半导体器件(例如DRAM、闪存、逻辑器件)用微图案。

公开(公告)号：CN108957941A

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201810477224.X

申请日：2018-05-18

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  申升协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/26

CPC classification number: G03F1/26

Abstract: 根据本公开的相移空白掩膜包括具有多层膜结构的相移膜，该多层膜结构包括位于透明衬底上的两层或更多层，其中相移膜仅含有硅(Si)，或者含有硅(Si)化合物而基本上不含过渡金属。根据本公开的相移膜由不含过渡金属的硅(Si)基材料制成，由此提供了这样的空白掩膜和光掩膜，其耐曝光光线的耐曝光性和耐化学品清洁的耐化学品性优异，能够精确地控制图案的CD，并延长了光掩膜的使用寿命。