公开(公告)号：CN112015047A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010401171.0

申请日：2020-05-13

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协

IPC: G03F1/50

Abstract: 本发明提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含透明衬底、相移膜以及光遮蔽膜。相移膜例如具有30％到100％的透射率，且在这种情况下，光遮蔽膜具有40纳米到70纳米的厚度和30原子％到80原子％铬、10原子％到50原子％氮、0原子％到35原子％氧以及0原子％到25原子％碳的组成比。堆叠有光遮蔽膜和相移膜的结构具有2.5到3.5的光学密度。因此，当在光掩模的制造工艺中对光遮蔽膜进行蚀刻时，最小化临界尺寸偏差。

公开(公告)号：CN110456608A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN113227898B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕以及光罩，所述空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(criticaldimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。

公开(公告)号：CN110716388B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201811558340.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/50

公开(公告)号：CN110716388A

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：CN201811558340.0

申请日：2018-12-19

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/50

Abstract: 本申请提供一种空白掩模和光掩模，所述空白掩模包含：遮光膜，设置在透明衬底上；以及硬掩模膜，设置在遮光膜上且包括钼铬(MoCr)。因此，硬掩模膜不仅具有提高的蚀刻速度，且还具有对氟(F)基干式蚀刻的足够的耐蚀刻性，以使得可减小对抗蚀剂膜的蚀刻负载且可改善硬掩模膜图案和遮光膜图案的线边缘粗糙度(LER)，从而形成用于高精确度图案印刷的光掩模。

公开(公告)号：CN110456608B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN201810513173.1

申请日：2018-05-25

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 南基守 ,  申澈 ,  金东建 ,  李钟华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕

IPC: G03F1/26 ,  G03F1/80

Abstract: 根据本公开的相移膜包括组成不同的多个层，其可以通过一种蚀刻剂进行蚀刻，并且形成为连续膜或多层膜，所述膜通过一次或多次层叠具有不同组成的层而具有至少两层。因此，不仅通过减小相移膜的厚度，而且还通过考虑各种变量从而使得在将相移膜图案化时，使边界部分的截面倾斜度变陡以获得更清晰的相移膜图案边界，由此确保了相移膜图案的透射率、相移量和均匀性，因此提供了这样的相移空白掩膜和光掩膜，其中光刻对象和相移膜图案的图案精度得以改善。

公开(公告)号：CN113227898A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201980085968.X

申请日：2019-12-20

Applicant: 思而施技术株式会社

Inventor： 申澈 ,  李锺华 ,  梁澈圭 ,  崔珉箕 ,  申昇协 ,  公拮寓

IPC: G03F1/32 ,  G03F1/38

Abstract: 一种空白罩幕包括形成于透明基板上的硬膜以及光屏蔽膜。所述硬膜是由硅化合物制成，除硅外，所述硅化合物含有氧、氮及碳中的至少一者。提供一种在分辨率、期望的CD(临界尺寸(critical dimension))以及制程窗口余裕(process window margin)方面得到改善的空白罩幕以及光罩。因此，当形成32纳米或小于32纳米、特别是14纳米或小于14纳米的图案时，可制造良好品质的空白罩幕以及光罩。