一种适用于边坡支架加固的焊接装置

    公开(公告)号:CN118268787A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202410335084.8

    申请日:2024-03-22

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明公开了一种适用于边坡支架加固的焊接装置,涉及边坡防护技术领域,包括工作单元,所述工作单元包括工作台组件和连接在工作台组件上的输送组件,所述工作台组件的上端连接有工作盖板;所述工作台组件包括工作台本体和安装在工作台本体内部的运输齿轮;所述输送组件包括输送道和连接在输送道内部的输送限位轨道;安装单元,所述安装单元包括安装盘组件和设置在安装盘组件上的边坡支架本体,所述安装盘组件上连接有支架固定组件,且安装盘组件上开设有焊接槽口;焊接单元,所述焊接单元包括焊接安装组件和安装在焊接安装组件内部的焊接组件;解决了现有焊接装置难以保证焊接的精度,同时对边坡支架的焊接不能进行连续处理的问题。

    分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备

    公开(公告)号:CN107219277B

    公开(公告)日:2019-05-31

    申请号:CN201710315123.8

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备方法,包括以下步骤:制备聚对氨基苯磺酸修饰电极、制备分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极。本发明的有益效果:分子印迹过氧化聚吡咯/聚对氨基苯磺酸修饰电极的制备过程简单环保无污染。此外,聚对氨基苯磺酸的引入可增加与色氨酸三维空间匹配的空腔数量,从而得到的分子印迹材料对于色氨酸对映体的识别效率显著提升。

    分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备

    公开(公告)号:CN107121470A

    公开(公告)日:2017-09-01

    申请号:CN201710315124.2

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    CPC classification number: G01N27/3278

    Abstract: 本发明涉及一种分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备方法,包括以下步骤:制备二氧化锰/碳毡复合材料、制备分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料。本发明的有益效果:分子印迹过氧化聚吡咯/二氧化锰/碳毡复合材料的制备成本低,制备过程简单、环保。

    壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料的制备

    公开(公告)号:CN107213858B

    公开(公告)日:2020-06-26

    申请号:CN201710315692.2

    申请日:2017-05-08

    Applicant: 常州大学

    Inventor: 孔泳 张洁 顾嘉卫

    Abstract: 本发明涉及一种壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料的制备方法,包括以下步骤:制备二氧化硅纳米球、制备氨基改性二氧化硅纳米球、制备壳核分子印迹二氧化硅/金纳米粒子复合材料。本发明的有益效果:无机分子印迹纳米材料的制备过程环保、廉价,且金纳米粒子的引入有效地增加了分子印迹材料对于半胱氨酸对映体的识别效果。

    一种CuMn2O4-石墨烯超级电容器复合电极材料的制备方法

    公开(公告)号:CN110734095A

    公开(公告)日:2020-01-31

    申请号:CN201910975954.7

    申请日:2019-10-15

    Applicant: 常州大学

    Abstract: 本发明属于新型能源超级电容器领域,尤其是一种铜锰氧化物-石墨烯复合材料。本发明针对传统储能技术功率密度差、周期稳定性短、充放电速率低等缺陷,提供一种应用于超级电容器的铜锰氧化物-石墨烯复合材料及其制备方法。本发明采用Hummers法制备氧化石墨烯,再通过电化学还原法得到还原石墨烯,采用传统的溶胶-凝胶法制备CuMn2O4材料,再通过物理研磨将石墨烯和CuMn2O4混合均匀制得CuMn2O4-RGO复合材料。本发明方法的制备工艺、设备简单,原料廉价易得,且当所制备的CuMn2O4-RGO复合材料质量比为1:1,电流密度为1 A/g时,电容高达341.56 F/g,超过常见的大部分超级电容器电极材料,是一种具有极大潜在应用前景的电极材料。

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