公开(公告)号：CN1257292A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99126710.9

申请日：1999-12-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小田切充 ,  竹房早奈江 ,  三宅裕子

IPC: H01F10/14 ,  H01F1/147 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  H01F1/14708 ,  H01F10/14 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头,它具有优异的高频特性,无需任何热处理易于形成磁畴结构,因此,提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成,其特征在于,按照这样的条件选择NiFeMo的成分比,即按原子%值计,Ni为77—82%,Fe为15—21%,Mo为6%以下,以及磁应变常数λs范围为－1×10-6≤λs≤1×10-6。

公开(公告)号：CN1147884C

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN99126710.9

申请日：1999-12-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 小田切充 ,  竹房早奈江 ,  三宅裕子

IPC: H01F10/14 ,  H01F1/147 ,  G11B5/31

CPC classification number: G11B5/3967 ,  G11B5/3109 ,  G11B5/3113 ,  H01F1/14708 ,  H01F10/14 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/11 ,  Y10T428/24942

Abstract: 本发明涉及一种由NiFeMo构成的磁头，它具有优异的高频特性，无需任何热处理易于形成磁畴结构，因此，提高了磁记录能力。磁性材料由Ni、Fe和Mo构成，其特征在于，按照这样的条件选择NiFeMo的成分比，即按原子%值计，Ni为77-82%，Fe为15-21%，Mo为6%以下，以及磁应变常数λs范围为-1×10-6≤λs≤1×10-6。