公开(公告)号：CN101221769A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710192703.9

申请日：2007-11-16

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 青木知佳 ,  桥本淳一 ,  小田切充 ,  秋元秀行

IPC: G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: C25D5/10 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3106 ,  G11B5/3967 ,  G11B5/40 ,  Y10T428/1121

Abstract: 本发明提供一种磁头及其制造方法。在该磁头中，读取头的下屏蔽层和上屏蔽层以及写入头的下磁极电连接到基板，以便防止静电对MR元件造成损坏，并且不会不利地影响读取头的读取特性。该磁头包括：读取头，该读取头具有下屏蔽层和上屏蔽层，它们通过分流电阻电连接到基板；和写入头，该写入头具有下磁极，该下磁极通过所述分流电阻电连接到所述基板，其中所述下屏蔽层和所述上屏蔽层通过一导电层电连接到所述基板，并且所述下磁极通过一导电层电连接到所述基板，该导电层形成为该下磁极的基层。

公开(公告)号：CN1835086A

公开(公告)日：2006-09-20

申请号：CN200510091913.X

申请日：2005-08-04

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 秋元秀行

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/11

CPC classification number: G11B5/398 ,  G11B5/11 ,  G11B5/3912

Abstract: 一种磁阻效应再现头，包括由下屏蔽层和上屏蔽层构成的屏蔽部分，并且防止由磁屏蔽层的磁畴结构造成的头输出中的波动，因此具有更加稳定的头输出。在包括磁屏蔽磁阻效应元件的屏蔽部分的磁阻效应再现头中，该屏蔽部分被形成为具有在高度方向上不对称的多边形平面形状。