公开(公告)号：CN116825875A

公开(公告)日：2023-09-29

申请号：CN202310769779.2

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02 ,  G01J1/42

Abstract: 本发明公开了一种片上集成的微波光子探测器及其探测方法，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接，光进入硅波导以后进入锗吸收层，锗吸收层用于对光信号的吸收，所有的掺杂都位于硅掺杂层；本发明的优点在于：所有的掺杂都位于硅掺杂层并采用共信号电极设计，从而避免光电探测器响应度下降及降低光电探测器设计和工艺加工难度。

公开(公告)号：CN117410369A

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN202311228298.7

申请日：2023-09-21

Applicant: 安徽大学

Inventor： 许伊曼 ,  王俊 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0304

Abstract: 本发明提供了一种吸收层补偿掺杂PIN紫外探测器，属于半导体光电子器件领域，包括衬底、缓冲层、N型欧姆接触层、吸收层、P型欧姆接触层、N型欧姆接触电极、P型欧姆接触电极，缓冲层设置在衬底上，N型欧姆接触层设置在缓冲层上，吸收层和N型欧姆接触电极均设置在N型欧姆接触层上，N型欧姆接触电极为环形，且吸收层位于N型欧姆接触电极的环内，吸收层为补偿掺杂的电势分布满足拉普拉斯方程的半导体介质层，P型欧姆接触层设置在吸收层上，P型欧姆接触电极设置在P型欧姆接触层上，探测器的工作模式为背照射，通过在吸收层进行补偿掺杂中和掉背景掺杂浓度，能够提高紫外探测器的性能。

公开(公告)号：CN220155555U

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202321654063.X

申请日：2023-06-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 王俊 ,  许伊曼 ,  刘瀚宇 ,  李文浩 ,  李翰林

IPC: H01L31/105 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/02

Abstract: 本实用新型公开了一种片上集成的微波光子探测器，所述微波光子探测器包括至少两个金属电极、锗吸收层和硅掺杂层，所述金属电极通过金属过孔与硅掺杂层连接，每两个金属电极与硅掺杂层连接以后形成的硅掺杂层中间间隙上设置锗吸收层，硅掺杂层的边缘设置硅波导，锗吸收层的端部与硅波导连接；本实用新型的优点在于：光电探测器设计过程简单。