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公开(公告)号：CN117913173A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202410023476.0
申请日：2024-01-08
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/107 , H01L31/0304
Abstract: 本发明属于日盲紫外探测器技术领域，具体涉及一种AlGaN单极势垒型nBn结构日盲紫外光电探测器，包括依次层叠生长的衬底层、缓冲层、接触层、势垒层、和吸收层，接触层和吸收层上均设有欧姆接触电极；所述衬底层采用蓝宝石或氧化铝或碳化硅，所述缓冲层采用AlN或Al2O3，所述接触层采用GaN或AlGaN，所述势垒层采用AlN，所述吸收层采用采用AlGaN或GaN，接触层和吸收层位置可交换，接触层和吸收层均为N型掺杂，非P型掺杂；其中，接触层、势垒层以及吸收层形成AlGaN/AlN/GaN单极势垒异质结，通过合理调控AlN势垒层的厚度以及AlGaN的组分，实现能带结构中大的导带偏移ΔEc以及较小的价带偏移ΔEv，与传统n‑n同型异质结光电探测器相比，可以更好的抑制暗电流，提高雪崩增益因子。
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