一种室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用

    公开(公告)号:CN111579594A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010463963.0

    申请日:2020-05-27

    Abstract: 本发明公开了一种室温气体传感器在神经毒剂检测中的应用,属于气体检测技术领域。室温气体传感器主要包括铜底座,叉指电极,叉指电极固定并连接在铜底座上,叉指电极表面覆盖有传感材料薄膜,传感材料薄膜由二维过渡金属硫族化合物制得,二维过渡金属硫族化合物采用液相剥离法制备。本发明提供的基于二维过渡金属硫族化合物的室温气体传感器在室温下能够实现神经毒剂的高灵敏度和高选择性检测,且具有响应时间短,重复性好和稳定性强的特点。本发明首次提出将二维过渡金属硫族化合物材料应用于神经毒剂检测,这种方法对于神经毒剂检测提供了一种新的方向和策略,从而实现神经毒剂高性能检测的目的。

    一种X射线平板探测器及其制作方法

    公开(公告)号:CN109920809A

    公开(公告)日:2019-06-21

    申请号:CN201910192143.X

    申请日:2019-03-14

    Abstract: 本发明提供了一种X射线平板探测器及其制作方法。X射线平板探测器包括TFT背板、传感光电二极管矩阵面板、栅驱动信号电路系统、传感信号读取电路系统、图像信号处理电路系统以及其他的外围功能电路等部分。其中TFT背板是整个系统的重要部分,TFT可实现开关信号通道的功能。本发明的特别之处在于,在TFT背板中引入了多晶硅TFT技术,由于多晶硅TFT的沟道材料具有较大的电子迁移率,可有效提高TFT的开关速率,进而提高X射线平板探测器的数据读取速率,使平板探测器更加适合高速连续拍照的应用场合,有效提高了X射线平板探测器的性能,减少了鬼影和拖尾的现象。

    一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件

    公开(公告)号:CN108767049A

    公开(公告)日:2018-11-06

    申请号:CN201810502999.8

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明涉及一种基于碳纳米管/石墨烯肖特基结的高性能光电器件,包括:绝缘性基底,设置在绝缘性基底上表面两侧的电极对,位于电极对之间的碳纳米管网络,位于碳纳米管网络内的呈岛状的石墨烯。与现有技术相比,本发明采用岛状石墨烯与碳纳米管网络形成肖特基结构使得碳纳米管中的光生空穴转移并被限制于岛状石墨烯,大幅度降低了光生载流子复合几率,同时大幅降低由连续石墨烯作为导电沟道导致的暗电流,进而提高器件的光电性能。

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