公开(公告)号：CN102804433B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201080028725.1

申请日：2010-06-30

Applicant: 学校法人东京理科大学 ,  丰田通商株式会社

Inventor： 饭田努 ,  本多康彦 ,  福岛直树 ,  坂本达也 ,  水户洋彦 ,  难波宏邦 ,  田口豊

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B33/06 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C22C23/00 ,  F27D17/004 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M4/383 ,  Y02E60/324

Abstract: 本发明提供一种镁‑硅复合材料。上述镁‑硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁‑硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁‑硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。

公开(公告)号：CN102804433A

公开(公告)日：2012-11-28

申请号：CN201080028725.1

申请日：2010-06-30

Applicant: 学校法人东京理科大学 ,  昭和KDE株式会社

Inventor： 饭田努 ,  本多康彦 ,  福岛直树 ,  坂本达也 ,  水户洋彦 ,  难波宏邦 ,  田口豊

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B33/06 ,  C01P2002/70 ,  C01P2004/61 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/407 ,  C04B2235/408 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/9607 ,  C22C23/00 ,  F27D17/004 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/38 ,  H01M4/383 ,  Y02E60/324

Abstract: 本发明提供一种镁-硅复合材料。上述镁-硅复合材料含有Mg2Si，可适用于作为热电转换模块的材料，并具有良好的热电转换性能。上述Mg2Si是对环境的影响小的金属间化合物。根据本发明的镁-硅复合材料在866K的无因次性能指数为0.665以上。上述镁-硅复合材料例如当用于热电转换模块时，可获得高的热电转换性能。

公开(公告)号：CN102473831B

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201080033425.2

申请日：2010-07-26

Applicant: 学校法人东京理科大学

Inventor： 饭田努 ,  福岛直树 ,  坂本达也 ,  水户洋彦 ,  难波宏邦 ,  田口豊 ,  赤坂昌保 ,  立川守 ,  日野贤一

IPC: H01L35/14 ,  C22C23/00 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/96 ,  C22C1/02 ,  C22C23/00 ,  C22C24/00 ,  H01L35/14 ,  H01L35/22

Abstract: 本发明提供一种铝-镁-硅复合材料，具有优异的热电转换特性，该复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，是能够适合用作热电转换组件的材料的铝-镁-硅复合材料。本发明的铝-镁-硅复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，在300K下的电导率σ为1000～3000S/cm。由于该铝-镁-硅复合材料热电转换特性优异，因此适用于制造热电转换元件。

公开(公告)号：CN102473831A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033425.2

申请日：2010-07-26

Applicant: 学校法人东京理科大学 ,  道康宁东丽株式会社

Inventor： 饭田努 ,  福岛直树 ,  坂本达也 ,  水户洋彦 ,  难波宏邦 ,  田口豊 ,  赤坂昌保 ,  立川守 ,  日野贤一

IPC: H01L35/14 ,  C22C23/00 ,  H01L35/34 ,  H02N11/00

CPC classification number: H01L35/34 ,  B22F3/10 ,  B22F9/04 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/645 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/96 ,  C22C1/02 ,  C22C23/00 ,  C22C24/00 ,  H01L35/14 ,  H01L35/22

Abstract: 本发明提供一种铝-镁-硅复合材料，具有优异的热电转换特性，该复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，是能够适合用作热电转换组件的材料的铝-镁-硅复合材料。本发明的铝-镁-硅复合材料包括包含Al、Mg以及Si的合金，在300K下的电导率σ为1000～3000S/cm。由于该铝-镁-硅复合材料热电转换特性优异，因此适用于制造热电转换元件。

公开(公告)号：CN101589480B

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN200780047822.3

申请日：2007-12-19

Applicant: 昭和KDE株式会社 ,  学校法人东京理科大学 ,  日本恒温装置株式会社

Inventor： 饭田努 ,  水户洋彦 ,  根本崇

IPC: H01L35/20 ,  C02F11/00 ,  C02F11/12 ,  C04B35/00 ,  C04B35/58 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  B09B3/005 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  H01L35/34 ,  Y02W10/37

Abstract: 本发明提供可以在约300～600℃的温度下稳定地发挥较高的热电转换性能、具有较高的物理强度、不会风化且在耐久性方面优异、稳定性及可靠性高的热电转换材料及其制造方法以及热电转换元件，并且，提供能够将以往除了填埋处理以外没有其他用途的硅残渣作为原料的热电转换材料。这里，本发明的热电转换材料的特征在于，其含有烧结体作为主成分，所述烧结体由含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁构成，另外本发明是使用了经过纯化提纯处理的硅残渣的制造方法。

公开(公告)号：CN101589480A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200780047822.3

申请日：2007-12-19

Applicant: 昭和KDE株式会社 ,  学校法人东京理科大学 ,  日本恒温装置株式会社

Inventor： 饭田努 ,  水户洋彦 ,  根本崇

IPC: H01L35/20 ,  C02F11/00 ,  C02F11/12 ,  C04B35/00 ,  C04B35/58 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  B09B3/005 ,  C04B35/58085 ,  C04B35/62204 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/6263 ,  C04B35/6265 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62665 ,  C04B35/6268 ,  C04B35/645 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/40 ,  C04B2235/401 ,  C04B2235/402 ,  C04B2235/42 ,  C04B2235/421 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/652 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/666 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/725 ,  C04B2235/727 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  H01L35/34 ,  Y02W10/37

Abstract: 本发明提供可以在约300～600℃的温度下稳定地发挥较高的热电转换性能、具有较高的物理强度、不会风化且在耐久性方面优异、稳定性及可靠性高的热电转换材料及其制造方法以及热电转换元件，并且，提供能够将以往除了填埋处理以外没有其他用途的硅残渣作为原料的热电转换材料。这里，本发明的热电转换材料的特征在于，其含有烧结体作为主成分，所述烧结体由含有As、Sb、P、Al及B中的至少一种元素的多晶结构的硅化镁构成，另外本发明是使用了经过纯化提纯处理的硅残渣的制造方法。