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公开(公告)号：CN118156382A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410562509.9
申请日：2024-05-08
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板及显示装置。其中，阵列基板的制备方法通过结合阻挡层，选择性区域生长将三色外延结构集成在同一衬底上，从而在衬底上形成阵列排布的三色子像素。本公开的技术方案，解决了现有技术中通过巨量转移技术实现全彩化显示导致发光单元的优良率降低的问题，以及避免了利用色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN117012865B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311253050.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及Micro LED显示技术领域，公开了一种全彩Micro LED显示芯片及其制备方法，该方法包括：制备衬底外延层；衬底外延层的一侧形成有第一类型发光层；在第一类型发光层的第一预设区域内注入N型离子；在第一类型发光层背离衬底外延层的一侧，形成第二类型发光层；在第一类型发光层的第二预设区域和第二类型发光层的第三预设区域内注入N型离子；在第二类型发光层背离第一类型发光层的一侧形成第三类型发光层；在第二类型发光层的第四预设区域和第三类型发光层的第五预设区域内注入P型离子；在第三类型发光层背离第二类型发光层的一侧，形成P型外延层。由此，降低了工艺制备难度并提高了制备速度。
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公开(公告)号：CN117133837A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311399486.6
申请日：2023-10-26
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/48 , H01L21/683 , H01L25/16
Abstract: 本申请涉及芯片转移技术领域，特别涉及一种芯片转移方法、可弹性形变结构以及阵列基板。其中，芯片转移方法包括：将生长基板上形成的阵列排布的芯片与暂存结构粘附；剥离生长基板，将芯片转移至暂存结构；将暂存结构上的芯片选择性转移至预先拉伸的可弹性形变结构，转移至可弹性形变结构上的芯片按照预设间距排布；恢复可弹性形变结构的原始尺寸，将可弹性形变结构上的芯片转移至接收基板。本申请的技术方案，可实现更小间距的Micro‑LED芯片，满足了Micro‑LED芯片转移过程中对转移精度的高要求，有利于降低Micro‑LED芯片的转移难度。
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公开(公告)号：CN116722094A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310981182.4
申请日：2023-08-07
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制作方法，能够解决现有技术存在的键合强度和键合良率较低的技术问题。该显示面板的制作方法包括：在衬底上形成LED发光单元，所述LED发光单元包括驱动电极；在所述LED发光单元上形成重布线层；在所述重布线层上形成驱动芯片晶圆，所述驱动芯片晶圆包括焊盘；其中，所述重布线层包括走线，所述驱动电极通过所述走线与所述焊盘电连接。
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公开(公告)号：CN116469907B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310734148.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种发光面板及其制作方法，能够释放GaN外延层应力，降低外延层翘曲度，提升发光效率。该发光面板包括衬底、N型GaN外延层、发光外延层、第一楔形结构、第二楔形结构、P电极和N电极；所述N型GaN外延层和所述发光外延层形成于所述衬底上，所述第一楔形结构贯穿所述发光外延层和所述N型GaN外延层，所述第二楔形结构贯穿所述发光外延层和部分所述N型GaN外延层；所述P电极位于所述发光外延层上，所述N电极覆盖所述第一楔形结构和所述第二楔形结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116544263A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310813063.8
申请日：2023-07-05
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
Abstract: 本公开涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种Micro LED芯片及其制备方法。包括以下步骤：提供衬底，在衬底上生长氮化镓层，在氮化镓层上刻蚀周期性制备多个LED阵列；提供填充层，填充层与LED阵列的表面齐平；提供驱动芯片，填充层与驱动芯片键合；去除衬底和多余的氮化镓层，形成包括驱动芯片和LED阵列的晶圆结构；在晶圆结构上形成光导层；在光导层上刻蚀形成多个反射部，以整合LED阵列的显示位置。通过上述步骤，本公开是在光导层上刻蚀形成多个反射部，通过反射部的反射作用改变LED阵列的发光方向，从而达到整个芯片上不同LED阵列的显示位置均能够按照像素排列的需求排布的目的。
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公开(公告)号：CN116525729A
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202310813055.3
申请日：2023-07-05
Applicant: 季华实验室 , 深圳市奥视微科技有限公司
IPC: H01L33/00 , H01L33/60 , H01L25/075
Abstract: 本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板的制备方法、显示面板以及显示装置。其中，显示面板的制备方法包括：在衬底的一面制备阵列排布的容纳结构；在容纳结构的侧壁上制备高熔点反射层，形成防光串扰结构；在防光串扰结构内生长LED外延结构，形成LED芯片；将防光串扰结构和LED芯片转移至驱动基板上。本公开的技术方案，解决了通过巨量转移技术容易伤到发光单元，从而降低发光单元的优良率的问题，以及避免了利用量子点色转换技术制备全彩化显示面板导致显示面板的发光效率较低的问题，有利于提高显示面板的发光效率，以及有利于防止相邻LED芯片之间发生光串扰的问题。
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公开(公告)号：CN113964151B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202111273932.X
申请日：2021-10-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及显示技术领域，公开了一种全彩微型显示器件及其制备方法，全彩微型显示器件包括发光基板和驱动基板，发光基板与驱动基板键合，所述发光基板上形成有全彩显示阵列，所述发光基板包括红光LED发光基板、绿光LED发光基板、蓝光LED发光基板；所述红光LED发光基板上设置有红光LED芯片像素和第一起偏器；所述绿光LED发光基板上设置有绿光LED芯片像素和第二起偏器；所述蓝光LED发光基板上设置有蓝光LED芯片像素和第三起偏器；相邻的第一起偏器、第二起偏器和第三起偏器的偏光方向互相垂直。通过在不同颜色的LED芯片像素上方设置互成90°的起偏器，使得不同颜色的LED芯片像素发出的偏振光不会发生串扰。
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公开(公告)号：CN114927093A
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202210844321.4
申请日：2022-07-19
Applicant: 季华实验室
IPC: G09G3/32 , G09G3/36 , G02F1/1335
Abstract: 本公开涉及一种显示校正装置，属于光学器件技术领域。包括：多个不同发光颜色的发光芯片单元、多个校正单元、X‑cube、采集单元和控制单元；发光芯片单元分别设置于X‑cube入光面以放出入射光线；校正单元分别设置于发光芯片单元与X‑cube的不同入光面之间，对入射光线进行校正；采集单元设置于X‑cube的出光面处，用于接收X‑cube射出的出射光线，并生成实际图像传送至控制单元；控制单元接收采集单元传送的实际图像，并分析控制校正单元以使显示校正装置对入射光线进行校正。本公开解决了发光单元贴合失误时补偿校正算法丢失像素行列或无法渲染补偿校正图像的问题，并减少了显示色差。
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公开(公告)号：CN114675428A
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202210604088.2
申请日：2022-05-31
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本公开涉及一种显示装置、显示设备、驱动方法及存储介质，涉及显示技术领域。显示装置包括：多个不同发光颜色的可见光发光单元、红外感光单元、合色棱镜、红外发光单元以及控制单元；多个不同发光颜色的可见光发光单元分别设置在合色棱镜的不同入光面；红外感光单元以及多个不同发光颜色的可见光发光单元均与控制单元电连接；合色棱镜用于将多个不同发光颜色的可见光发光单元的入射光合成后，从合色棱镜的出光面出射；红外发光单元用于向观看者眼睛发射红外光；红外感光单元用于感测经观看者眼睛反射的红外光。本公开能够在不影响视觉效果的前提下，降低功耗，减少热量的产生。
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