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公开(公告)号：CN115609450A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211206757.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于抛光大口径的单晶碳化硅的抛光装置，该抛光装置包括：夹具、机器人，磨盘和抛光部；夹具用于固定大口径的单晶碳化硅；机器人具有移动部；磨盘与移动部连接，移动部带动磨盘移动，用于对大口径的单晶碳化硅的曲面进行打磨；抛光部对应于大口径的单晶碳化硅的平面设置，抛光部能够转动用于对大口径的单晶碳化硅的平面进行打磨，且抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积。本发明技术方案中，机器人带动磨盘对大口径的单晶碳化硅的曲面打磨，抛光部转动对大口径的单晶碳化硅的平面打磨，能够满足双面抛光；同时抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积能够满足对大口径的单晶碳化硅的打磨条件。
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公开(公告)号：CN115609450B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202211206757.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于抛光大口径的单晶碳化硅的抛光装置，该抛光装置包括：夹具、机器人，磨盘和抛光部；夹具用于固定大口径的单晶碳化硅；机器人具有移动部；磨盘与移动部连接，移动部带动磨盘移动，用于对大口径的单晶碳化硅的曲面进行打磨；抛光部对应于大口径的单晶碳化硅的平面设置，抛光部能够转动用于对大口径的单晶碳化硅的平面进行打磨，且抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积。本发明技术方案中，机器人带动磨盘对大口径的单晶碳化硅的曲面打磨，抛光部转动对大口径的单晶碳化硅的平面打磨，能够满足双面抛光；同时抛光部的面积大于大口径的单晶碳化硅的平面的面积能够满足对大口径的单晶碳化硅的打磨条件。
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公开(公告)号：CN115648036A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211206520.9
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于抛光双面曲面单晶碳化硅的抛光装置及抛光方法，该用于抛光双面曲面单晶碳化硅的抛光装置包括：夹具，两个机器人和两个磨盘，所述夹具用于固定所述双面曲面单晶碳化硅；两个所述机器人均具有移动部；两个所述磨盘分别与两个所述移动部一一连接，所述移动部带动所述磨盘移动，用于对所述双面曲面单晶碳化硅的曲面进行打磨。本发明技术方案中，两个移动部带动两个所述磨盘分别移动，用于对所述双面曲面单晶碳化硅的曲面同时进行打磨，不仅能够满足对双面曲面单晶碳化硅的打磨条件，还能够双面抛光，提高对双面曲面单晶碳化硅的打磨效率。
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公开(公告)号：CN115609388A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211218747.5
申请日：2022-09-29
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开一种用于监测单晶碳化硅的监测装置及监测方法，该用于监测单晶碳化硅的监测装包括：连接件，磨盘，两个工业相机和控制器；磨盘与连接件连接，磨盘用于对单晶碳化硅进行打磨；两个工业相机分别与连接件连接，两个工业相机用于采集单晶碳化硅的图像；控制器根据工业相机的信息控制磨盘停止打磨和/或输出报警信号。本发明技术方案中，通过两个工业相机，采集单晶碳化硅的图像，控制器根据工业相机的信息控制磨盘停止打磨和/或输出报警信号。通过两个工业相机对单晶碳化硅的打磨进行监测，任何一个工业相机识别到单晶碳化硅破裂时，控制输出报警信号，人员可以去除破裂的单晶碳化硅，防止对打磨设备造成损坏，同时能够保证安全性。
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