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公开(公告)号：CN112899769A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110063510.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法，所述全光谱钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤：配制卤素基团为溴的钙钛矿前驱体溶液；利用钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿纳米线阵列；配制溶质分别含氯、含碘的两种离子交换溶液；将钙钛矿纳米线阵列的一端浸泡在其一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出一端形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干；将钙钛矿纳米线阵列的另一端浸泡在另一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出另一端也形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干。该制备方法可直接在宏观角度下简便地制造出具有全波段光谱的特性谱钙钛矿纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN112899769B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202110063510.3
申请日：2021-01-18
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种全光谱钙钛矿纳米线阵列及其制备方法，所述全光谱钙钛矿纳米线阵列制备方法包括以下步骤：配制卤素基团为溴的钙钛矿前驱体溶液；利用钙钛矿前驱体溶液制备钙钛矿纳米线阵列；配制溶质分别含氯、含碘的两种离子交换溶液；将钙钛矿纳米线阵列的一端浸泡在其一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出一端形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干；将钙钛矿纳米线阵列的另一端浸泡在另一离子交换溶液中，并持续提拉钙钛矿纳米线阵列；取出另一端也形成异质结的钙钛矿纳米线阵列，并清洗、烘干。该制备方法可直接在宏观角度下简便地制造出具有全波段光谱的特性谱钙钛矿纳米线阵列。
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公开(公告)号：CN116497451A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310543709.5
申请日：2023-05-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明公开了一种超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜及其制备方法，属于有机半导体材料制备领域，方法步骤包括，往结晶皿中加入甘油，将有机无机杂化钙钛矿前驱液滴加在甘油上铺展成液膜，甘油表面张力大，可以在甘油表面得到大面积的液膜，干燥结晶皿，甘油具有较高的沸点，因此可以不蒸干甘油地干燥结晶皿上的液膜，便于后续完整地将初结晶膜转移到基底上，干燥后获得高质量的初结晶膜；用表面修饰有OTS的基底覆盖在初结晶膜上将初结晶膜从甘油上表里翻转地转移到基底上，在保护气氛下对初结晶膜作退火处理。得到的超薄有机无机杂化钙钛矿单晶薄膜，厚度薄，具有理想的表面平整度以及晶格结构，有望在光电、磁性、电催化等领域实现性能的突破。
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