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公开(公告)号：CN1841786B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200610068365.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01M14/00 , H01G9/04 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂。还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第1电极层的第1电极层形成工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101056716B
公开(公告)日：2010-05-05
申请号：CN200580038496.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: B05D7/24
CPC classification number: H01L21/316 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , C23C18/14 , C23C18/1651 , C23C18/1662 , C23C18/1667 , C23C18/1678 , C23C18/1682 , C23C18/31 , C23C22/74 , C23C22/83 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02282 , H01M8/1246 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜的制造方法，是使用金属氧化物膜形成用溶液的廉价的湿式涂覆法，可以在具有复杂的构造部的基材或多孔材料的基材等上获得均匀并且致密而具有足够的膜厚的金属氧化物膜。本发明通过提供如下的金属氧化物膜的制造方法来解决所述问题，即，具有：第一金属氧化物膜形成工序，其通过使溶解了作为金属源的金属盐或金属络合物、氧化剂及还原剂的至少一方的第一金属氧化物膜形成用溶液与基材接触，而在所述基材上形成第一金属氧化物膜；第二金属氧化物膜形成工序，其通过将具备了所述第一金属氧化物膜的基材加热至金属氧化物膜形成温度以上的温度，使之与作为金属源溶解了金属盐或金属络合物的第二金属氧化物膜形成用溶液接触，而获得第二金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101056716A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200580038496.0
申请日：2005-11-10
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: B05D7/24
CPC classification number: H01L21/316 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/127 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , C23C18/14 , C23C18/1651 , C23C18/1662 , C23C18/1667 , C23C18/1678 , C23C18/1682 , C23C18/31 , C23C22/74 , C23C22/83 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02282 , H01M8/1246 , Y02E60/525 , Y02P70/56
Abstract: 本发明提供一种金属氧化物膜的制造方法，是使用金属氧化物膜形成用溶液的廉价的湿式涂覆法，可以在具有复杂的构造部的基材或多孔材料的基材等上获得均匀并且致密而具有足够的膜厚的金属氧化物膜。本发明通过提供如下的金属氧化物膜的制造方法来解决所述问题，即，具有：第一金属氧化物膜形成工序，其通过使溶解了作为金属源的金属盐或金属络合物、氧化剂及还原剂的至少一方的第一金属氧化物膜形成用溶液与基材接触，而在所述基材上形成第一金属氧化物膜；第二金属氧化物膜形成工序，其通过将具备了所述第一金属氧化物膜的基材加热至金属氧化物膜形成温度以上的温度，使之与作为金属源溶解了金属盐或金属络合物的第二金属氧化物膜形成用溶液接触，而获得第二金属氧化物膜。
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公开(公告)号：CN101667493B
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN200910167349.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂。还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第1电极层的第1电极层形成工序。
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公开(公告)号：CN101667493A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200910167349.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 大日本印刷株式会社
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂。还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第1电极层的第1电极层形成工序。
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公开(公告)号：CN1841786A
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：CN200610068365.3
申请日：2006-03-30
Applicant: 大日本印刷株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/042 , H01L31/18 , H01M14/00 , H01G9/04 , H01G9/20
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 一种氧化物半导体电极，具有基材、形成于基材上并由热塑性树脂制成的粘接层、形成于粘接层上并由金属氧化物制成的第1电极层、形成于第1电极层上并含有金属氧化物半导体微粒的多孔层，其特征是，所述热塑性树脂含有硅烷改性树脂。还提供一种氧化物半导体电极的制造方法，其特征是，进行如下工序来形成氧化物半导体电极用叠层体，并通过进行在氧化物半导体电极用叠层体的第1电极层上设置基材的基材形成工序，形成带有耐热基板的氧化物半导体电极，进行从所述带有耐热基板的氧化物半导体电极上将耐热基板剥离的剥离工序，其中所述工序包括：夹隔层形成用图案形成工序；氧化物半导体层形成用层形成工序；形成夹隔层及氧化物半导体层的烧成工序；在氧化物半导体层上形成第1电极层的第1电极层形成工序。
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