公开(公告)号：CN101369531A

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200810210944.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  斯图尔特·爱德华·胡帕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN101369531B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200810210944.6

申请日：2008-08-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  凯瑟琳·路易斯·史密斯 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  斯图尔特·爱德华·胡帕

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L33/00 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L31/101 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02639 ,  H01L29/127 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/06 ,  H01S5/3412 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括步骤：在半导体表面上沉积半导体层，所述半导体表面包括具有第一(平均表面晶格)参数值的至少一个第一区域和具有与所述第一值不同的第二参数值的至少一个第二区域；在半导体表面上沉积半导体层到一个厚度，使得自组织岛形成覆盖第一区域和第二区域。参数值的差别意味着覆盖第一区域的岛具有第一平均参数值以及覆盖第二区域的岛具有不同于第一平均值的第二平均参数值；在岛上沉积覆盖层，并且覆盖层具有比岛更大的禁止带隙，藉此岛形成量子点，覆盖第一区域和第二区域的量子点由于第一和第二区域岛之间的不同具有不同的特性。本发明还涉及一种利用该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN104733582A

公开(公告)日：2015-06-24

申请号：CN201410805979.X

申请日：2014-12-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 马修·泽维尔·先尼 ,  竹冈忠士

IPC: H01L33/14

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明为具有双分级电子阻挡层的氮化物LED结构。基于III族氮化物的发光器件包括n型半导体层；第一p型半导体层；有源区；以及电子阻挡区，电子阻挡区包括位于有源区与第一p型半导体层之间的AlGaInN，并且至少包括升级层和降级层。电子阻挡区的升级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧增加，并且电子阻挡区的降级层的铝成分从电子阻挡区的有源区侧向电子阻挡区的第一p型半导体层侧减小。基于氮化物的发光器件可以是发光二极管或激光二极管。

公开(公告)号：CN102403427A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110273975.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  陈伟新 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。