公开(公告)号：CN102403427A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110273975.8

申请日：2011-09-15

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 蒂姆·迈克尔·斯密顿 ,  马修·泽维尔·先尼 ,  陈伟新 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/0095 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2086 ,  H01S5/32341

Abstract: 一种半导体发光器件包括设置在衬底上的半导体层结构。层结构包括置于第一层和第二层之间的有源区。一个或更多个空腔存在于层结构中，每个空腔与穿透位错相对应，并从层结构的上表面至少延伸穿过第二层和有源区。去除穿透位错所在处的材料提供了对穿透位错用作非辐射中心的趋势的有效抑制，由此改善了器件的光输出效率。该器件可以通过在一个或更多个穿透位错的部位处选择性蚀刻层结构以在所述部位或每个部位处形成引导空腔的第一步骤来制造。应用第二蚀刻步骤，以增加每个引导空腔的深度。

公开(公告)号：CN102637800A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210026196.2

申请日：2012-02-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 陈伟新 ,  阿利斯代尔·保罗·科德 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/20 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01L2933/0083

Abstract: 本发明提供一种发光二极管(LED)及其制备方法。该LED包括：导电n型区(2)，所述导电n型区(2)形成在基板(1)上；有源区(3)，所述有源区(3)形成在所述n型区(2)上；第一p型区(4)，所述第一p型区(4)形成在所述有源区(3)上；多个纳米结构体(5)，所述多个纳米结构体(5)形成在所述第一p型区(4)上以进行从所述有源区(3)的光提取，所述纳米结构体(5)具有小于500nm的直径；第二p型区(6)，所述第二p型区(6)再生长在所述第一p型区(4)上以形成与所述纳米结构体(5)结合的非平面表面；以及p型电极(7)，所述p型电极(7)形成在所述非平面表面上。

公开(公告)号：CN103219441A

公开(公告)日：2013-07-24

申请号：CN201310022552.8

申请日：2013-01-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 陈伟新 ,  迈克尔·约翰·布洛克林 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/02 ,  H01L33/48 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/54 ,  H01L2933/005

Abstract: 本发明提供了一种发光二极管(LED)，所述发光二极管包括：由第一材料形成的主衬底(1)；在所述主衬底上形成的n型层(2a)；在所述n型层上形成的有源区(3)；以及在所述有源区上形成的p型层(2b)。与所述主衬底相邻地形成层(6)，并且所述层(6)包括第二材料，所述第二材料不同于所述第一材料，或者具有与所述第一材料的折射率不同的折射率。另外，将所述第二材料形成为具有向外渐窄的侧壁轮廓。