公开(公告)号：CN112802928A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN202110112743.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛夏妍 ,  张宇宸 ,  张驰 ,  陆明

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  C30B1/02 ,  C30B7/14 ,  C30B28/02 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于硅光技术领域，具体为一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法。本发明使用三乙氧基硅烷作为原材料，通过高温退火、氢氟酸腐蚀、表面改性等步骤制备得到独立的硅纳米晶（Si‑NC），将该硅纳米晶与旋涂玻璃（SOG）混合，并在适当的高温下退火，制成器件的有源层。通过调节退火温度和Si‑NC浓度来调整硅白光发光二极管的色度，使器件发光谱覆盖400nm‑800nm的白光区域。本发明为克服LED照明器件大量消耗稀土元素的问题提供了一种可能的解决方案，具有工艺简单、制备成本低的优势。

公开(公告)号：CN112802928B

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202110112743.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 薛夏妍 ,  张宇宸 ,  张驰 ,  陆明

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/34 ,  C30B1/02 ,  C30B7/14 ,  C30B28/02 ,  C30B28/04 ,  C30B29/06 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于硅光技术领域，具体为一种用于通用照明的硅白光发光二极管及其制备方法。本发明使用三乙氧基硅烷作为原材料，通过高温退火、氢氟酸腐蚀、表面改性等步骤制备得到独立的硅纳米晶（Si‑NC），将该硅纳米晶与旋涂玻璃（SOG）混合，并在适当的高温下退火，制成器件的有源层。通过调节退火温度和Si‑NC浓度来调整硅白光发光二极管的色度，使器件发光谱覆盖400nm‑800nm的白光区域。本发明为克服LED照明器件大量消耗稀土元素的问题提供了一种可能的解决方案，具有工艺简单、制备成本低的优势。