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公开(公告)号：CN119759948A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411710035.4
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学 , 星环信息科技(上海)股份有限公司
IPC: G06F16/2453 , G06F16/2455 , G06F16/28
Abstract: 本发明公开了一种基于动态搜索范围的向量‑关系型数据混合查询优化方法；该方法该算法通过两阶段的优化策略提高查询效率；首先，在优化条件检查阶段，查询引擎分析查询的语义，评估物理操作符的可优化性，确保符合K最近邻（KNN）查询的语义。其次，在物理操作符优化阶段，算法利用记录表跟踪查询状态，执行近似最近邻搜索，并根据相似度进行查询决策，从而减少冗余计算。该算法在确保查询准确性与多样性的同时，有效减少了计算开销，并在所有类别的KNN查询完成后及时终止搜索。此发明旨在提升混合查询的处理效率，优化推荐系统中的用户体验，提供了一种高效的查询优化解决方案。
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公开(公告)号：CN118458836A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311376261.9
申请日：2023-10-23
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于锂离子电池正极材料技术领域，具体为一种包覆高电压钴酸锂正极材料的方法。本发明通过溶胶凝胶法对高电压钴酸锂正极材料包覆磷酸铈材料，具体步骤包括将四氧化三钴和碳酸锂球磨混合均匀，得到黑色粉体;将所得黑色混合物在马弗炉中高温煅烧，得到钴酸锂；将六水合硝酸铈、磷酸三乙酯按照一定比例溶解于无水乙醇中，将钴酸锂加入上述混合溶剂中，搅拌均匀，然后将无水乙醇蒸发干净，最后在马弗炉中烧结，得到磷酸铈包覆的钴酸锂。本方法得到的包覆后的钴酸锂，可大幅提升钴酸锂在高电压（4.6V）下的循环稳定性、离子导电性和电子导电性，以及热稳定性。
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公开(公告)号：CN117194423A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311138400.4
申请日：2023-09-05
Applicant: 复旦大学 , 星环信息科技(上海)股份有限公司
IPC: G06F16/22 , G06F16/23 , G06F16/242
Abstract: 本发明公开了一种面向持久化存储的索引结构，属于数据库领域，包括删除标记位向量及通过逻辑块索引连接的第一层和第二层；逻辑块索引为对逻辑块构建的索引，逻辑块为对含有N个数据的原始数组按预定顺序排列后得到的临时数组进行划分后得到的k个数据块；第一层包括k+1个位向量，每个位向量均包括N个用于表示原始数组中的某个数据是否存在于某个逻辑块中的比特；第二层包括具有N个位置序号的位置标号序列，位置序号表示临时数组中相对应的数据在原始数组中的位置序号；删除标记位向量包括N个用于表示原始数组中相对应的数据是否已被移除的比特。本发明既避免了对原文件的索引结构进行更新，同时还可以保证索引的有效性。
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公开(公告)号：CN113363317B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202110628051.9
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种负量子电容器件及其制备方法。该负量子电容器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；高K介质层/石墨烯层/高K介质层叠层，形成在所述埋栅上，其中，石墨烯层封装在两层高K介质层之间，位于所述埋栅上方，其长度与所述埋栅长度相当，小于所述高K介质层的长度；二维材料层，形成在所述高K介质层上作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维材料层两侧，并部分覆盖所述二维材料层，且与埋栅无重叠。石墨烯层提供负量子电容，使器件内部总电容放大，能够有效降低亚阈值摆幅，提高器件的开关速度。
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公开(公告)号：CN111444180B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202010201476.7
申请日：2020-03-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F16/22 , G06F16/2455
Abstract: 本发明涉及一种双层结构的索引及其查询方法，该索引结构包括：连接两层的逻辑块索引：对逻辑块构建的索引，能够确定任意数据出现的第一个逻辑块，逻辑块是对按一定顺序排列的数据划分得到的数据块；构成第一层的一组位向量：每个位向量包括N个比特，比特表示数据是否存在于某个逻辑块中；构成第二层的rowID序列：按照数据顺序排列存储的数据在原数据序列中的位置。第一层能够筛选出绝大多数符合检索条件的数据，生成一个尽可能接近最终结果的中间结果；第二层利用rowID序列完善第一层生成的中间结果，从而得到准确的最终结果。与现有技术相比，本发明能够减少随机访存、减少访问无关数据，能够加速对列式内存数据库的查询操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115174448A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210557401.1
申请日：2022-05-20
Applicant: 复旦大学
IPC: H04L43/12 , H04L43/06 , H04L43/0805 , G06F8/60
Abstract: 本发明涉及一种基于容器的网络探针管控方法，该方法包括以下步骤：1)在园区网络监控范围内部署网络探针设备，并构建测试样本库；2)根据网络测试需求生成网络测试样本；3)根据执行网络测试的范围对网络探针设备进行分组，并下发测试样本，执行测试样本程序；4)根据测试结果获取园区中特定区域网络运行状态；5)网络探针将测试数据和分析结果反馈给网络运维人员。与现有技术相比，本发明能够应用于园区网络设备升级测试和园区网络运行状态监控场景，减少网络运维过程中网络测试任务所消耗的人力成本。
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公开(公告)号：CN113363316A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628040.0
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种二维负量子电容晶体管器件及其制备方法。该二维负量子电容晶体管器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；第三代拓扑绝缘体层，形成在所述埋栅上，长度与所述埋栅相当；高K介质层，覆盖所述第三代拓扑绝缘体层；二维沟道层，形成在所述高K介质层上，且与所述第三代拓扑绝缘体层有共同区域；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维沟道层两侧，并部分覆盖所述二维沟道层，且与所述埋栅无重叠，其中，所述拓扑绝缘体层提供负量子电容，从而使栅极总电容增大，降低亚阈值摆幅。
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公开(公告)号：CN111444180A
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN202010201476.7
申请日：2020-03-20
Applicant: 复旦大学
IPC: G06F16/22 , G06F16/2455
Abstract: 本发明涉及一种双层结构的索引及其查询方法，该索引结构包括：连接两层的逻辑块索引：对逻辑块构建的索引，能够确定任意数据出现的第一个逻辑块，逻辑块是对按一定顺序排列的数据划分得到的数据块；构成第一层的一组位向量：每个位向量包括N个比特，比特表示数据是否存在于某个逻辑块中；构成第二层的rowID序列：按照数据顺序排列存储的数据在原数据序列中的位置。第一层能够筛选出绝大多数符合检索条件的数据，生成一个尽可能接近最终结果的中间结果；第二层利用rowID序列完善第一层生成的中间结果，从而得到准确的最终结果。与现有技术相比，本发明能够减少随机访存、减少访问无关数据，能够加速对列式内存数据库的查询操作。
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公开(公告)号：CN119719828A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411709931.9
申请日：2024-11-27
Applicant: 复旦大学 , 星环信息科技(上海)股份有限公司
IPC: G06F18/23213 , G06F18/2325
Abstract: 本发明公开了一种面向持久化存储的高维向量近似最近邻检索方法；其包括索引构建阶段和搜索阶段；索引构建阶段，采用聚类算法对数据集进行空间划分，引入中心替换策略选取代表性向量用于建立入口点图，同时在原始数据集上构建第二层近邻图；搜索阶段，利用入口点图结果快速定位查询向量至最接近的入口点，缩短了搜索路径。本发明采用最佳乘积量化编码策略，降低了SSD数据加载开销；采用多束搜索策略有效利用文件系统按页读取特性，减少了时间开销，增大了数据加载量；采用迭代搜索策略收集查询向量搜索特征，自适应搜索过程，提高了搜索效率。本发明针对大规模数据的混合架构挑战，提供了一种优化近似最近邻搜索、高效的搜索解决方案。
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公开(公告)号：CN113363317A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110628051.9
申请日：2021-06-06
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/34 , H01L21/44
Abstract: 本发明公开一种负量子电容器件及其制备方法。该负量子电容器件包括：衬底；埋栅，形成在所述衬底中，其上表面与所述衬底上表面持平；高K介质层/石墨烯层/高K介质层叠层，形成在所述埋栅上，其中，石墨烯层封装在两层高K介质层之间，位于所述埋栅上方，其长度与所述埋栅长度相当，小于所述高K介质层的长度；二维材料层，形成在所述高K介质层上作为沟道；源电极和漏电极，分别形成在所述衬底上、所述二维材料层两侧，并部分覆盖所述二维材料层，且与埋栅无重叠。石墨烯层提供负量子电容，使器件内部总电容放大，能够有效降低亚阈值摆幅，提高器件的开关速度。
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